| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·薄膜晶体管简介及工作原理 | 第13-14页 |
| ·透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管 | 第14-15页 |
| ·非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO） | 第15-20页 |
| ·IGZO 简介 | 第15-16页 |
| ·IGZO 导电机制 | 第16-18页 |
| ·IGZO 中元素组成的影响 | 第18-19页 |
| ·IGZO 的态密度 | 第19-20页 |
| ·IGZO TFT 研究现状 | 第20-22页 |
| ·本文研究意义与研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备以及表征 | 第25-39页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第25-26页 |
| ·薄膜晶体管的整体工艺 | 第26-28页 |
| ·薄膜晶体管的成膜工艺 | 第28-30页 |
| ·磁控溅射 | 第28-29页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第29-30页 |
| ·薄膜晶体管的图形化工艺 | 第30-32页 |
| ·光刻工艺 | 第30-31页 |
| ·其它图形化工艺 | 第31-32页 |
| ·薄膜晶体管的刻蚀工艺 | 第32-33页 |
| ·湿刻工艺 | 第32页 |
| ·干刻工艺 | 第32-33页 |
| ·薄膜晶体管的其它工艺 | 第33页 |
| ·洗净工艺 | 第33页 |
| ·退火工艺 | 第33页 |
| ·本次研究中使用到的工艺 | 第33-34页 |
| ·薄膜晶体管的表征 | 第34-37页 |
| ·薄膜的表征 | 第34-35页 |
| ·薄膜晶体管器件的表征 | 第35-37页 |
| ·本次研究使用的表征手段 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 IGZO 溅射功率对薄膜和 TFT 器件性能的影响 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·IGZO TFT 的器件以及薄膜制备 | 第39-40页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜性质的影响 | 第40-46页 |
| ·IGZO 薄膜的结晶性质 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜成膜速率的影响 | 第41-42页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜电学特性的影响 | 第42-43页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜元素成分的影响 | 第44-45页 |
| ·溅射功率对 IGZO 薄膜光学性质的影响 | 第45-46页 |
| ·IGZO 层溅射功率对 IGZO TFT 器件性能的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 IGZO 成膜基板温度对薄膜和 TFT 器件性能的影响 | 第49-59页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·IGZO TFT 的器件以及薄膜制备 | 第49-50页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对 IGZO TFT 器件性能的影响 | 第50-52页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对薄膜性质的影响 | 第52-57页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对薄膜结晶性质的影响 | 第53页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第53-54页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对薄膜电学特性的影响 | 第54-55页 |
| ·IGZO 成膜基板温度对薄膜元素成分以及化合态的影响 | 第55-57页 |
| ·分析与讨论 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 IGZO 其它溅射条件对薄膜性能的影响 | 第59-65页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·IGZO 溅射氛围对薄膜性能的影响 | 第59-61页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·IGZO 薄膜的制备 | 第59页 |
| ·IGZO 溅射氛围对薄膜成膜速率以及电阻率的影响 | 第59-60页 |
| ·IGZO 溅射氛围对薄膜光学性质的影响 | 第60-61页 |
| ·IGZO 溅射气体流量以及腔室压强对薄膜性能的影响 | 第61-63页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·IGZO 薄膜的制备 | 第61-62页 |
| ·IGZO 溅射气体流量以及腔室压强对薄膜成膜速率以及电阻率的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 IGZO TFT 器件中的溅射 SiOx钝化层工艺 | 第65-75页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·IGZO TFT 的器件制备 | 第65-66页 |
| ·IGZO TFT 的溅射 SiOx钝化层工艺整合 | 第66-74页 |
| ·溅射 SiOx钝化层对 IGZO TFT 性能的影响 | 第66-68页 |
| ·IGZO TFT 空气退火的机理研究以及空气退火条件的优化 | 第68-69页 |
| ·对 IGZO TFT 溅射 SiOx钝化层等离子损伤的补偿 | 第69-70页 |
| ·使用双层有源层以及 SiOx钝化层的 IGZO TFT | 第70-71页 |
| ·IGZO TFT 的环境稳定性 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第七章 IGZO 半导体态密度的建模与仿真 | 第75-87页 |
| ·概述 | 第75-77页 |
| ·IGZO 态密度模型的建立 | 第77-79页 |
| ·IGZO 仿真模型的验证 | 第79页 |
| ·栅极电压对 IGZO TFT 影响的数值仿真 | 第79-81页 |
| ·深能级对 IGZO TFT 器件性能影响的数值仿真 | 第81-86页 |
| ·源漏电极为低功函数材料的情况 | 第81-83页 |
| ·源漏电极为高功函数材料的情况 | 第83-85页 |
| ·分析与讨论 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第八章 总结及展望 | 第87-89页 |
| ·论文主要内容总结 | 第87页 |
| ·后续工作展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第95-97页 |
