应变硅能带与新型硅基MOS器件结构研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第一章 引言	第9-13页
·课题的背景及意义	第9-10页
·国内外研究动态	第10-12页
·本论文主要研究内容	第12-13页
第二章 应变的引入方法及其应力与应变的关系	第13-25页
·应变引入方法	第13-19页
·全局应变	第13-16页
·局部应变	第16-19页
·应力与应变的关系	第19-24页
·应力的标记法	第19-21页
·坐标系的变换	第21-23页
·硅晶体中的胡克定律	第23-24页
·本章小结	第24-25页
第三章 应力方向与大小对硅能带的影响	第25-47页
·应力与应变关系在硅中的应用	第25-36页
·(100)面的应力与应变	第25-28页
·(110)面的应力与应变	第28-32页
·(111)面的应力与应变	第32-36页
·应变硅的能带	第36-46页
·应力与硅导带的关系	第36-43页
·应力对硅价带的影响	第43-46页
·本章小结	第46-47页
第四章 基于STI结构的应变硅MOS器件研究	第47-56页
·理论模型分析	第47-50页
·有限元分析及TCAD仿真	第50页
·仿真结果的分析与讨论	第50-55页
·本章小结	第55-56页
第五章 多晶硅氧化引入应力技术研究	第56-71页
·多晶硅氧化的几点考虑	第56-57页
·多晶硅氧化的工艺参量	第57-70页
·硅氧化动力学	第58-60页
·温度和氧化剂类型对应力的影响	第60-63页
·压力和掺杂对应力的影响	第63-66页
·应力路径A与B的讨论	第66-70页
·本章小结	第70-71页
第六章 结论	第71-72页
致谢	第72-73页
参考文献	第73-78页
攻硕期间取得的研究成果	第78页