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新型可见光催化剂的制备及光电性能的研究

致谢第1-5页
摘要第5-6页
Abstract第6-8页
目录第8-10页
第一章 文献综述第10-24页
   ·印染废水处理现状第10-13页
     ·印染废水来源第10-11页
     ·印染废水特征及常见处理技术第11-13页
   ·光催化氧化法第13-21页
     ·光催化氧化技术的产生第13页
     ·光催化氧化技术的研究现状第13-14页
     ·可见光响应复合半导体研究现状第14-16页
     ·n型半导体BiVO_4性质及光催化应用第16-18页
     ·p型半导体CuBi_2O_4光催化应用现状第18-19页
     ·光电催化技术第19-21页
   ·论文研究思路与主要内容第21-24页
     ·研究目的和意义第21-22页
     ·研究内容第22-23页
     ·研究思路第23-24页
第二章 BiVO_4的制备与光电性能测试第24-31页
 引言第24-25页
   ·实验试剂与仪器第25页
   ·实验方法第25-27页
     ·FTO玻璃清洗第26页
     ·BiVO_4膜的制备第26页
     ·BiVO_4光电性质测试第26-27页
   ·结果与讨论第27-30页
     ·不同有机物种类对BiVO_4光电性能的影响第27-28页
     ·不同有机物浓度对BiVO_4光电性能的影响第28-29页
     ·不同浓度电解质对BiVO_4光电性能的影响第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第三章 CuBi_2O_4的制备与光电性能测试第31-45页
 引言第31页
   ·实验试剂与仪器第31-32页
   ·实验方法第32-34页
     ·FTO玻璃清洗第32-33页
     ·CuBi_2O_4膜的制备第33页
     ·CuBi_2O_4膜制备条件优化第33页
     ·CuBi_2O_4膜光电性能测试第33-34页
   ·结果与讨论第34-44页
     ·CuBi_2O_4膜制备条件影响第34-40页
     ·CuBi_2O_4膜光电性能测试结果第40-44页
   ·本章小结第44-45页
第四章 p-n复合半导体的构建与光电性能测试第45-55页
 引言第45-46页
   ·实验试剂与仪器第46-47页
   ·实验方法第47-48页
     ·p-n复合半导体组装第47-48页
     ·p-n复合半导体光电性能测试第48页
   ·结果与讨论第48-53页
     ·不同有机物对p-n复合半导体光电性能影响第48-50页
     ·不同浓度有机物对p-n复合半导体光电性能影响第50-52页
     ·不同浓度电解质对p-n复合半导体光电性能影响第52-53页
   ·本章小结第53-55页
第五章 结论与展望第55-58页
   ·结论第55-56页
   ·创新点第56页
   ·展望第56-58页
参考文献第58-66页
攻读硕士期间发表的论文第66页

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