| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 单电子器件综述 | 第9-39页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·单电子器件的产生背景 | 第9-10页 |
| ·论文意义及主要工作 | 第10-11页 |
| ·单电子器件的历史回顾 | 第11-13页 |
| ·单电子器件的基本结构 | 第13-17页 |
| ·单电子盒 | 第13-15页 |
| ·单电子晶体管 | 第15-17页 |
| ·几种常见的硅基单电子器件 | 第17-24页 |
| ·硅基单电子器件 | 第17-20页 |
| ·单电子泵 | 第20-21页 |
| ·单电子旋转门 | 第21-22页 |
| ·电荷耦合器件 | 第22-24页 |
| ·器件制备及加工工艺 | 第24-29页 |
| ·蒸镀技术 | 第25-26页 |
| ·PADOX方法 | 第26-27页 |
| ·SPM(STM/AFM)氧化技术 | 第27-29页 |
| ·单电子器件的应用前景 | 第29-39页 |
| ·模拟电路方面 | 第30-34页 |
| ·数字电路方面 | 第34-39页 |
| 第2章 单电子器件理论与动态误差机制 | 第39-56页 |
| ·基本原理 | 第39-45页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第39-42页 |
| ·单电子效应 | 第42-45页 |
| ·单电子器件的数值模拟方法 | 第45-48页 |
| ·主方程法 | 第45-47页 |
| ·蒙特卡罗法 | 第47-48页 |
| ·电荷耦合器件中的动态误差机制 | 第48-56页 |
| ·隧穿电阻 | 第49-51页 |
| ·隧穿几率 | 第51-53页 |
| ·占据态几率 | 第53-56页 |
| 第3章 温度和量子岛电容对电荷耦合器件的隧穿电阻和隧穿几率的影响 | 第56-63页 |
| ·温度对隧穿电阻和隧穿几率的影响 | 第56-60页 |
| ·温度对隧穿电阻的影响 | 第56-58页 |
| ·温度对隧穿几率的影响 | 第58-60页 |
| ·量子岛电容对隧穿几率的影响 | 第60-63页 |
| 第4章 温度和量子岛电容对电荷耦合器件的动态误差几率的影响 | 第63-74页 |
| ·最佳优化条件的确定 | 第63-68页 |
| ·相同V_(Gw)下t_w对误差几率的影响 | 第64页 |
| ·相同t_w下V_(Gw)对误差几率的影响 | 第64-65页 |
| ·t_w和V_(Gw)对误差几率影响的综合分析 | 第65-68页 |
| ·温度对误差几率的影响 | 第68-71页 |
| ·优化前 | 第68-70页 |
| ·优化后 | 第70-71页 |
| ·量子岛电容对误差几率的影响 | 第71-74页 |
| ·优化前 | 第71-72页 |
| ·优化后 | 第72-74页 |
| 第5章 总结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81页 |