| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| ·透明导电薄膜（TCO）材料 | 第12-13页 |
| ·二氧化锡（Sn0_2） | 第12-13页 |
| ·氧化铟（In_2O_3） | 第13页 |
| ·掺锡氧化铟（ITO） | 第13页 |
| ·氧化锌（ZnO）透明导电材料 | 第13-15页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的光学性能 | 第14页 |
| ·ZnO 的电学特性 | 第14-15页 |
| ·薄膜的形成 | 第15-17页 |
| ·凝结过程 | 第15页 |
| ·核的形成与生长过程 | 第15页 |
| ·薄膜形成过程与生长模式 | 第15-17页 |
| ·掺杂氧化锌的基本性质 | 第17-19页 |
| ·AZO 薄膜的基本性质 | 第17-18页 |
| ·TZO 薄膜的基本性质 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第19-20页 |
| 第2章 TZO 薄膜的制备方法 | 第20-28页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第20-21页 |
| ·离子镀膜 | 第21-22页 |
| ·化学气相沉积 | 第22-25页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第25页 |
| ·磁控溅射法 | 第25-28页 |
| 第3章 射频磁控溅射法制备 TZO 透明导电薄膜 | 第28-35页 |
| ·实验材料 | 第28页 |
| ·靶材 | 第28页 |
| ·玻璃衬底 | 第28页 |
| ·制备装置以及工艺参数 | 第28-29页 |
| ·制备装置结构 | 第28-29页 |
| ·制备工艺参数 | 第29页 |
| ·制备流程 | 第29-30页 |
| ·TZO 薄膜样品的结构性能表征 | 第30-35页 |
| ·薄膜的微观结构 | 第30-31页 |
| ·薄膜的表面能 | 第31-32页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第32-33页 |
| ·薄膜电学性能的表征 | 第33-35页 |
| 第4章 制备工艺参数对 TZO 薄膜结构和光电性能的影响 | 第35-52页 |
| ·掺杂浓度对 TZO 薄膜性能的影响 | 第35-41页 |
| ·掺杂浓度对 TZO 薄膜结构的影响 | 第35-38页 |
| ·掺杂浓度对 TZO 薄膜光学特性的影响 | 第38-39页 |
| ·掺杂浓度对 TZO 薄膜电学特性的影响 | 第39-40页 |
| ·本节小结 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对 TZO 薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| ·衬底温度对 TZO 薄膜结构的影响 | 第41-43页 |
| ·衬底温度对 TZO 薄膜光学特性的影响 | 第43-44页 |
| ·衬底温度对 TZO 薄膜电学特性的影响 | 第44-46页 |
| ·本节小结 | 第46页 |
| ·溅射压强对 TZO 薄膜性能的影响 | 第46-52页 |
| ·溅射压强对 TZO 薄膜结构的影响 | 第46-48页 |
| ·溅射压强对 TZO 薄膜光学特性的影响 | 第48-50页 |
| ·溅射压强对 TZO 薄膜电学特性的影响 | 第50-51页 |
| ·本节小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第58页 |