| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·太阳能电池的发展意义及现状 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的发展意义 | 第10页 |
| ·太阳能电池的发展现状 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第11-13页 |
| ·掺氢氮化硅(SINX:H)薄膜的性质 | 第13-14页 |
| ·掺氢氮化硅(SINX:H)薄膜作为减反射层在太阳能电池上的应用 | 第14-16页 |
| ·氮化硅薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 用 PECVD 制备氮化硅薄膜的工艺原理及表征处理方法 | 第20-28页 |
| ·RF-PECVD 制备氮化硅薄膜 | 第20-22页 |
| ·RF-PECVD 系统的原理 | 第20-21页 |
| ·PECVD 系统 | 第21-22页 |
| ·氮化硅薄膜的表征处理方法 | 第22-28页 |
| ·光学性能测试系统（NKD） | 第22-23页 |
| ·傅里叶变换红外光谱（FTIR） | 第23-26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26页 |
| ·快速退火炉(SUB HEAT TRESTMENT SYSTEM) | 第26页 |
| ·脉冲激光(PULSED LASER) | 第26页 |
| ·少数载流子测试系统 ( WT-2000PV) | 第26-28页 |
| 第三章 实验方案设计 | 第28-31页 |
| ·薄膜沉积条件设置 | 第28页 |
| ·基底、气源的优选 | 第28-29页 |
| ·基底的选择 | 第28页 |
| ·硅源的选择 | 第28-29页 |
| ·氨气的选择 | 第29页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第29页 |
| ·RF-PECVD 制备氮化硅薄膜的实验参数 | 第29-30页 |
| ·本论文研究的主要内容及实验目标 | 第30-31页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第31-59页 |
| ·实验步骤 | 第31-32页 |
| ·NH3/SIH4流量比(R)对氮化硅薄膜性能的影响 | 第32-36页 |
| ·NH3/SIH4流量比(R)对氮化硅薄膜沉积速率和折射率的影响 | 第32-34页 |
| ·NH3/SIH4流量比(R)对氮化硅薄膜化学键性质的影响 | 第34-36页 |
| ·沉积温度和 RF 功率对氮化硅薄膜性质的影响 | 第36-45页 |
| ·沉积温度和 RF 功率对氮化硅薄膜沉积速率的影响 | 第37-39页 |
| ·沉积温度和 RF 射频功率对氮化硅薄膜化学键性质的影响 | 第39-41页 |
| ·沉积温度和 RF 功率对氮化硅薄膜折射率的影响 | 第41-43页 |
| ·沉积温度与射频功率对少子寿命的影响 | 第43-45页 |
| ·快速热处理对氮化硅薄膜性质的影响 | 第45-49页 |
| ·快速热处理对氮化硅薄膜光学性质的影响 | 第45-48页 |
| ·快速热处理对氮化硅薄膜形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·脉冲激光对氮化硅薄膜性能的影响 | 第49-57页 |
| ·脉冲激光能量对氮化硅薄膜的影响 | 第50-52页 |
| ·脉冲激光处理时间对氮化硅薄膜的影响 | 第52-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
