| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第1章 中子物理和中子成相 | 第9-24页 |
| ·中子物理 | 第9-16页 |
| ·中子基本物理 | 第9-10页 |
| ·热中子及其主要特性 | 第10-12页 |
| ·中子源 | 第12-15页 |
| ·中子屏蔽 | 第15-16页 |
| ·中子成相 | 第16-21页 |
| ·中子成相的原理 | 第17-18页 |
| ·中子成相的装置 | 第18-21页 |
| ·影响中子成相质量的因素 | 第21页 |
| ·中子成相技术应用 | 第21-24页 |
| 第2章 试验方法和原理 | 第24-35页 |
| ·基于CCD（Charge Coupled Device）的中子成相技术 | 第24-30页 |
| ·CCD—中子射线探测器成相的基本原理 | 第24-25页 |
| ·CCD—中子射线探测器成相装置简介 | 第25-30页 |
| ·基于多阳极光电倍增管（MAPMT）的中子成相技术 | 第30-34页 |
| ·MAPMT—中子射线探测器成相的基本原理 | 第30-31页 |
| ·MAPMT—中子射线探测器成相装置简介 | 第31-34页 |
| ·两种中子成相方法的比较 | 第34-35页 |
| 第3章 试验系统的设计和搭建 | 第35-52页 |
| ·试验装置结构设计 | 第35-36页 |
| ·试验主要器件分析 | 第36-46页 |
| ·中子源的设计和制作 | 第36-41页 |
| ·物理模型设计计算 | 第36-38页 |
| ·用FLUKA 程序模拟结果 | 第38-40页 |
| ·热中子源的制作 | 第40-41页 |
| ·多阳极光电倍增管及其64 路信号引出 | 第41-46页 |
| ·H8500C 型多阳极光电倍增管 | 第41-42页 |
| ·多阳极光电倍增管64 路信号的引出 | 第42-46页 |
| ·锂玻璃和铝框架 | 第46页 |
| ·试验系统的整合 | 第46-49页 |
| ·系统的调试 | 第49-52页 |
| 第4章 试验结论及分析 | 第52-66页 |
| ·γ抑制能力的测定 | 第52-53页 |
| ·γ抑制能力的测定方法 | 第52页 |
| ·γ抑制能力的测定结论 | 第52-53页 |
| ·热中子探测效率的测定 | 第53-55页 |
| ·热中子探测效率的测定方法 | 第53-54页 |
| ·热中子探测效率的测定结论 | 第54-55页 |
| ·位置分辨率的测定 | 第55-66页 |
| ·系统噪声的测定 | 第55-57页 |
| ·信号校正参数的测定 | 第57-60页 |
| ·单点信号位置分辨率的测定 | 第60-62页 |
| ·“H”形位置分辨率的测定 | 第62-66页 |
| 第5章 结论及改进 | 第66-67页 |
| ·试验结论 | 第66页 |
| ·试验改进 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |