| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·功率半导体器件与功率集成电路 | 第7-8页 |
| ·LDMOS的器件结构与基本特点 | 第8-10页 |
| ·LDMOS的研究方向 | 第10-11页 |
| ·SOI-LDMOS简介 | 第11-14页 |
| 第二章 SOI-LDMOS的耐压特性的分析及改善 | 第14-23页 |
| ·降低表面场(RESURF)技术 | 第14-16页 |
| ·场限环技术 | 第16页 |
| ·电阻场板的应用 | 第16-19页 |
| ·台阶埋氧层 | 第19-20页 |
| ·非均匀掺杂漂移区 | 第20-21页 |
| ·几种提高LDMOS器件击穿电压的方法的比较 | 第21-23页 |
| 第三章 LDMOS射频特性的研究 | 第23-38页 |
| ·LDMOS与常规MOS电容特性的区别 | 第23-26页 |
| ·LDMOS电容的计算与分析 | 第26-31页 |
| ·影响LDMOS电容的结构因素 | 第31-35页 |
| ·LDMOS器件的跨导特性 | 第35-38页 |
| 第四章 SOI器件特有的失效机理及ESD损伤 | 第38-44页 |
| ·SOI器件的Kirk效应 | 第38页 |
| ·SOILDMOS的自热效应 | 第38-39页 |
| ·SOI器件中的浮体效应 | 第39-40页 |
| ·半导体器件的ESD损伤 | 第40-44页 |
| 第五章 TG-PSOILDMOS的结构研究 | 第44-63页 |
| ·槽栅结构的提出 | 第44-47页 |
| ·顶层硅厚度的优化 | 第47-49页 |
| ·埋氧层厚度的优化 | 第49-51页 |
| ·局部埋氧的近漏端处埋氧层长度优化 | 第51-55页 |
| ·槽栅结构中近源端局部埋氧的结构优化 | 第55-60页 |
| ·TG-PSOILDMOS结构在工艺上的改进及优化 | 第60-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-66页 |
| ·SOI-LDMOS器件的若干发展 | 第63-64页 |
| ·本文在器件结构创新过程中的工作总结 | 第64-65页 |
| ·下一步研究方向展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |