| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·硅表面的重构 | 第10-17页 |
| ·Si(111)-7×7的表面几何与电子结构 | 第10-14页 |
| ·Si(100)-2×1的表面几何与电子结构 | 第14-17页 |
| ·理论研究方法及模型 | 第17-24页 |
| ·密度泛函(DFT)及杂化密度泛函B3LYP方法 | 第17-22页 |
| ·簇模型的选取 | 第22-24页 |
| ·本文工作 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 NH_3氮化Si(111)-7×7面的机理研究 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·研究背景 | 第28-30页 |
| ·计算模型与方法 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-39页 |
| ·NH_3的初始解离 | 第30-33页 |
| ·NH_3在Si_r位上的完全解离 | 第33-36页 |
| ·NH_3在Si(111)-7×7的Si_a位和Si(100)-2×1上的解离 | 第36-39页 |
| ·结论 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 PH_3在Si(111)-7×7表面吸附解离的理论研究 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·研究背景 | 第44-45页 |
| ·计算模型与方法 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-54页 |
| ·PH_3的初始解离 | 第46-48页 |
| ·PH_3在Si_r位上的完全解离 | 第48-51页 |
| ·PH_2(a)在其它Si_a位上的解离 | 第51-52页 |
| ·PH_3在Si_a位上的完全解离 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 H_2O氧化Si(111)-7×7面的反应机理研究 | 第58-78页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·研究背景 | 第58-60页 |
| ·计算方法与模型 | 第60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-75页 |
| ·H_2O在Si(111)-7×7上的初始吸附 | 第60-62页 |
| ·O原子的插入过程 | 第62-75页 |
| 1.从OH迁移到O原子插入Si_a-Si_s键中 | 第62-69页 |
| 2.从H_2O直接打开Si_a-Si_s键到O原子插入Si_a-Si_s键中 | 第69-75页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第五章 H_2S在Si(111)-7×7面上进行解离吸附的理论研究 | 第78-94页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·研究背景 | 第78-79页 |
| ·计算方法与模型 | 第79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-91页 |
| ·H_2S在Si(111)-7×7上的初始吸附 | 第79-80页 |
| ·S原子的插入过程 | 第80-91页 |
| 1.从SH迁移到S原子插入Si_a-Si_s键中 | 第80-87页 |
| 2.从H_2S直接打开Si_a-Si_s键到S原子插入Si_a—Si_s键中 | 第87-91页 |
| ·结论 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 论文发表情况 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
