| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·选题背景及意义 | 第11页 |
| ·纳米材料的提出与发展 | 第11-13页 |
| ·纳米材料的特性 | 第13-15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13页 |
| ·表面效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·小尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第15页 |
| ·SiC低维纳米材料的研究进展 | 第15-23页 |
| ·SiC低维纳米材料的研究概况 | 第15-16页 |
| ·SiC低维纳米材料的制备方法 | 第16-19页 |
| ·SiC低维纳米材料场发射性能 | 第19-23页 |
| 第二章 主要研究内容、实验方案及分析方法 | 第23-29页 |
| ·主要研究内容和意义 | 第23-24页 |
| ·SiC纳米线的生长及其场发射性能研究 | 第23-24页 |
| ·基片对SiC纳米阵列生长的影响 | 第24页 |
| ·催化剂对SiC纳米阵列生长的影响 | 第24页 |
| ·SiC纳米阵列场发射性能研究 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-25页 |
| ·主要实验原料、设备和分析方法 | 第25-29页 |
| ·实验原料 | 第25页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·实验分析和表征方法 | 第26-29页 |
| 第三章 SiC纳米针制备、表征及其场发射特性 | 第29-39页 |
| ·前言 | 第29-30页 |
| ·实验方案 | 第30页 |
| ·实验结果和讨论 | 第30-37页 |
| ·SiC纳米针制备和表征 | 第30-33页 |
| ·SiC纳米针的生长机理 | 第33-34页 |
| ·SiC纳米针场发射性能 | 第34-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 基片对SiC纳米线阵列生长的影响及其场发射性能 | 第39-63页 |
| ·前言 | 第39页 |
| ·实验方案 | 第39-41页 |
| ·实验结果和讨论 | 第41-61页 |
| ·不同基片对SiC纳米阵列生长的影响 | 第41-58页 |
| ·基片对SiC纳米阵列生长的影响机理 | 第58页 |
| ·SiC纳米阵列的场发射性能 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第五章 催化剂对SiC纳米阵列生长的影响及其场发射性能 | 第63-79页 |
| ·前言 | 第63页 |
| ·实验方案 | 第63-64页 |
| ·实验结果和讨论 | 第64-77页 |
| ·催化剂种类对SiC纳米阵列生长的影响 | 第64-69页 |
| ·催化剂浓度对SiC纳米阵列生长的影响 | 第69-75页 |
| ·SiC纳米阵列的场发射性能 | 第75-77页 |
| ·小结 | 第77-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第97页 |