| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·横向功率器件的发展现状 | 第13-22页 |
| ·横向双扩散MOS管LDMOS | 第14-18页 |
| ·横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT | 第18-21页 |
| ·横向双极型晶体管LBJT | 第21-22页 |
| ·横向功率器件的电荷非平衡问题 | 第22-25页 |
| ·横向功率器件的电荷非平衡问题 | 第22-25页 |
| ·基于电荷平衡的横向功率器件优化设计新方法 | 第25页 |
| ·本论文的主要工作 | 第25-27页 |
| ·本论文的结构 | 第27-29页 |
| 第二章 DOUBLE RESURF LDMOS器件电荷平衡分析 | 第29-45页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·常规DOUBLE RESURF LDMOS电荷平衡与非平衡分析 | 第30-37页 |
| ·RESURF技术 | 第30-32页 |
| ·常规Double RESURF LDMOS电荷平衡分析 | 第32-36页 |
| ·常规Double RESURF LDMOS电荷非平衡分析 | 第36-37页 |
| ·具有非均匀P降场层DOUBLE RESURF LDMOS器件电荷平衡分析 | 第37-40页 |
| ·器件结构 | 第37-39页 |
| ·电荷平衡分析 | 第39-40页 |
| ·实验方案与结果 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 电荷平衡效应在屏蔽HVI场致电荷中的应用 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·HVI场致电荷以及常用屏蔽方法 | 第45-49页 |
| ·HVI场致非平衡电荷对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| ·屏蔽HVI场致非平衡电荷的常用方法 | 第47-49页 |
| ·具有多等位环的LDMOS(MER-LDMOS)耐压分析 | 第49-54页 |
| ·MER-LDMOS器件结构与分析 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·改进型MER-LDMOS耐压分析 | 第54-57页 |
| ·改进型MER-LDMOS器件结构 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 电荷平衡效应在新型三维横向功率器件中的应用 | 第59-88页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·SUPER JUNCTION功率器件简介 | 第60-68页 |
| ·纵向Super Junction功率器件 | 第60-63页 |
| ·横向Super Junction功率器件 | 第63-68页 |
| ·具有部分N埋层的SJ-LDMOS器件分析 | 第68-73页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第68-69页 |
| ·分析与讨论 | 第69-73页 |
| ·具有非均匀N埋层的高压SJ-LDMOS器件分析 | 第73-78页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第73-75页 |
| ·分析与讨论 | 第75-78页 |
| ·具有阶梯掺杂表面注入层的SOI SJ-LDMOS器件分析 | 第78-86页 |
| ·器件结构 | 第79-80页 |
| ·优化设计 | 第80-82页 |
| ·器件性能分析 | 第82-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 双极型功率晶体管中非平衡电荷对器件性能的影响研究 | 第88-108页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·双极型功率晶体管中的大注入效应 | 第89-93页 |
| ·双极型晶体管的工作区 | 第89-90页 |
| ·大电流工作模式下的大注入效应 | 第90-93页 |
| ·双极型功率晶体管基区少子抽取对器件性能的影响分析 | 第93-103页 |
| ·少数载流子在内基区和外基区的分布 | 第95-97页 |
| ·基区局部重掺杂对少数载流子分布的影响 | 第97-99页 |
| ·数字仿真结果分析 | 第99-103页 |
| ·实验方案 | 第103-104页 |
| ·实验结果分析 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 结论与展望 | 第108-111页 |
| ·结论 | 第108-110页 |
| ·下一步工作 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-125页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第125-127页 |
