| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-11页 |
| 1 射频等离子体基片偏压研究背景及现状 | 第8-9页 |
| 2 本课题的提出及意义 | 第9-11页 |
| 1 数值模型 | 第11-17页 |
| ·实验装置及其等效电路 | 第11-12页 |
| ·鞘层电压降中交流和直流分量的关系 | 第12-13页 |
| ·鞘层电容 | 第13-14页 |
| ·数值方法 | 第14-17页 |
| 2 数值结果和讨论 | 第17-49页 |
| ·实验结果 | 第17-19页 |
| ·数值结果及讨论 | 第19-47页 |
| ·LCR网络中电阻对 V_(tsb)-Ct曲线的影响 | 第19-21页 |
| ·LCR调谐网络中电感的影响 | 第21-23页 |
| ·杂散电容的影响 | 第23-25页 |
| ·天线电压对 V_(tsb)-Ct的影响 | 第25-27页 |
| ·等离子体密度的影响 | 第27-29页 |
| ·基片面积的影响 | 第29-30页 |
| ·地面积的影响 | 第30-31页 |
| ·耦合天线鞘层面积的影响 | 第31-32页 |
| ·电子温度的影响 | 第32-35页 |
| ·多稳、连续特性转换特性及分析 | 第35-37页 |
| ·基片支路阻抗变化规律以及基片支路共振点的分析 | 第37-39页 |
| ·等离子体空间电位与相位特性 | 第39-42页 |
| ·各支路电流的变化 | 第42-47页 |
| ·讨论 | 第47-49页 |
| 3 部分实验结果的数值计算比较 | 第49-54页 |
| ·放电功率的影响 | 第49-50页 |
| ·放电气压的影响 | 第50-54页 |
| 4 结论 | 第54-56页 |
| ·论文总结 | 第54-55页 |
| ·对今后工作的建议 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第61页 |