| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·太赫兹科学与技术发展概况 | 第8-12页 |
| ·太赫兹简介 | 第8-9页 |
| ·辐射源技术 | 第9-10页 |
| ·探测技术 | 第10-11页 |
| ·太赫兹电磁辐射的独特性质 | 第11-12页 |
| ·本课题研究意义 | 第12-13页 |
| ·本文主要工作及创新点 | 第13页 |
| ·章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 半导体表面太赫兹发射器 | 第15-20页 |
| ·几种辐射机制 | 第15-18页 |
| ·光整流效应 | 第15-16页 |
| ·Photo-Dember效应 | 第16-17页 |
| ·表面耗尽区内建电场作用 | 第17-18页 |
| ·光电导天线 | 第18页 |
| ·几种常用的半导体材料及其参数 | 第18-20页 |
| 第三章 磁场对半导体表面太赫兹发射器的增强作用 | 第20-27页 |
| ·增强原理 | 第20-22页 |
| ·载流子动力学的Drude-Lorentz模型 | 第22-23页 |
| ·源自表面瞬态电流的太赫兹电磁辐射 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 x方向和y方向上的磁场对THz辐射的增强特性 | 第27-52页 |
| ·外加磁场在x方向上 | 第27-40页 |
| ·理论推导 | 第28-32页 |
| ·模拟计算结果和讨论 | 第32-40页 |
| ·外加磁场在y方向上 | 第40-50页 |
| ·理论推导 | 第41-44页 |
| ·模拟计算结果和讨论 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 x-y平面上的磁场对THz辐射的增强特性 | 第52-74页 |
| ·理论推导 | 第52-60页 |
| ·模拟计算结果和讨论 | 第60-72页 |
| ·激光脉冲入射角的影响 | 第60-64页 |
| ·磁场的影响 | 第64-68页 |
| ·温度的影响 | 第68-70页 |
| ·半导体材料特性的影响 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 x-z平面上的磁场对THz辐射的增强特性 | 第74-97页 |
| ·理论推导 | 第74-82页 |
| ·模拟计算结果和讨论 | 第82-95页 |
| ·激光脉冲入射角的影响 | 第82-86页 |
| ·磁场的影响 | 第86-91页 |
| ·温度的影响 | 第91-93页 |
| ·半导体材料特性的影响 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第七章 y-z平面上的磁场对THz辐射的增强特性 | 第97-119页 |
| ·理论推导 | 第97-104页 |
| ·模拟计算结果和讨论 | 第104-117页 |
| ·激光脉冲入射角的影响 | 第105-109页 |
| ·磁场的影响 | 第109-113页 |
| ·温度的影响 | 第113-116页 |
| ·半导体材料特性的影响 | 第116-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第八章 总结与展望 | 第119-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 致谢 | 第127页 |