摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 前言 | 第9-11页 |
第二章 文献综述 | 第11-30页 |
2.1 ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
2.2 纳米材料的特性 | 第13-15页 |
2.2.1 量子尺寸效应 | 第14页 |
2.2.2 小尺寸效应 | 第14页 |
2.2.3 表面效应 | 第14页 |
2.2.4 宏观量子隧道效应 | 第14-15页 |
2.2.5 库仑堵塞效应 | 第15页 |
2.2.6 介电限域效应 | 第15页 |
2.3 ZnO一维纳米材料的生长机制及制备方法 | 第15-20页 |
2.3.1 热蒸发(thermal evaporation) | 第16-18页 |
2.3.2 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第18-20页 |
2.3.3 液相制备方法 | 第20页 |
2.3.4 模板法 | 第20页 |
2.4 纳米ZnO的掺杂/多元合金化合物 | 第20-21页 |
2.5 一维纳米ZnO材料的性能及其应用 | 第21-27页 |
2.5.1 ZnO纳米器件制作工艺 | 第21-22页 |
2.5.2 ZnO传输特性 | 第22-24页 |
2.5.3 ZnO纳米传感器 | 第24-25页 |
2.5.4 ZnO纳米激光器 | 第25页 |
2.5.5 ZnO场发射性能 | 第25-27页 |
2.6 基于MOCVD方法的GaN纳米材料和薄膜材料 | 第27-29页 |
2.6.1 半导体氮化稼研究的研究意义、结构及性质 | 第27-28页 |
2.6.2 GaN一维纳米结构的设备 | 第28页 |
2.6.3 氮化镓其它新型低维结构 | 第28-29页 |
2.7 立题思路及意义 | 第29-30页 |
第三章 试验内容和测试仪器 | 第30-35页 |
3.1 实验内容 | 第30页 |
3.2 试验方法和试验原理 | 第30-31页 |
3.2.1 热蒸发法 | 第30页 |
3.2.2 MOCVD法 | 第30-31页 |
3.3 测试仪器及方法 | 第31-35页 |
3.3.1 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
3.3.2 场发射扫描电镜(FESEM) | 第32-33页 |
3.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第33页 |
3.3.4 拉曼光谱(Raman) | 第33-34页 |
3.3.5 光致发光谱和光致激发谱(PL & PLE) | 第34页 |
3.3.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第34-35页 |
第四章 一维ZnO纳米材料的制备与表征 | 第35-63页 |
4.1 引言 | 第35-36页 |
4.2 试验步骤 | 第36页 |
4.3 辐射状(Radial)ZnO纳米棒的制备 | 第36-42页 |
4.3.1 实验条件 | 第36-37页 |
4.3.2 结果表征与讨论 | 第37-41页 |
4.3.3 生长机理分析 | 第41-42页 |
4.4 掺Al的ZnO纳米棒的制备 | 第42-48页 |
4.4.1 实验条件 | 第42页 |
4.3.2 结果表征与讨论 | 第42-48页 |
4.4.3 生长机理分析 | 第48页 |
4.5 无催化剂宝塔型ZnCdO纳米棒的制备 | 第48-53页 |
4.5.1 实验条件 | 第48页 |
4.5.2 结果表征与讨论 | 第48-53页 |
4.5.3 生长机理分析 | 第53页 |
4.6 Au催化剂ZnCdO纳米棒的制备 | 第53-58页 |
4.6.1 实验条件 | 第53-54页 |
4.6.2 结果表征与讨论 | 第54-58页 |
4.6.3 生长机理分析 | 第58页 |
4.7 热蒸发法制备的其它一些ZnO一维纳米结构 | 第58-62页 |
4.7.1 准阵列和辐射状ZnO纳米棒的制备 | 第58-61页 |
4.7.2 其它不同形貌的ZnO,ZnCdO一维纳米结构的制备 | 第61-62页 |
4.8 小结 | 第62-63页 |
第五章 一维氮化镓纳米材料的制备与表征 | 第63-71页 |
5.1 引言 | 第63-64页 |
5.2 试验步骤 | 第64-67页 |
5.2.1 实验设备 | 第64-66页 |
5.2.2 实验步骤 | 第66-67页 |
5.3 结果表征与讨论 | 第67-69页 |
5.4 生长机理分析 | 第69-70页 |
5.5 小结 | 第70-71页 |
第6章 结论 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
硕士在读期间发表文章 | 第78-79页 |
致谢 | 第79-80页 |