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一维ZnO、GaN纳米材料的制备和表征

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 前言第9-11页
第二章 文献综述第11-30页
 2.1 ZnO的基本性质第11-13页
 2.2 纳米材料的特性第13-15页
  2.2.1 量子尺寸效应第14页
  2.2.2 小尺寸效应第14页
  2.2.3 表面效应第14页
  2.2.4 宏观量子隧道效应第14-15页
  2.2.5 库仑堵塞效应第15页
  2.2.6 介电限域效应第15页
 2.3 ZnO一维纳米材料的生长机制及制备方法第15-20页
  2.3.1 热蒸发(thermal evaporation)第16-18页
  2.3.2 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)第18-20页
  2.3.3 液相制备方法第20页
  2.3.4 模板法第20页
 2.4 纳米ZnO的掺杂/多元合金化合物第20-21页
 2.5 一维纳米ZnO材料的性能及其应用第21-27页
  2.5.1 ZnO纳米器件制作工艺第21-22页
  2.5.2 ZnO传输特性第22-24页
  2.5.3 ZnO纳米传感器第24-25页
  2.5.4 ZnO纳米激光器第25页
  2.5.5 ZnO场发射性能第25-27页
 2.6 基于MOCVD方法的GaN纳米材料和薄膜材料第27-29页
  2.6.1 半导体氮化稼研究的研究意义、结构及性质第27-28页
  2.6.2 GaN一维纳米结构的设备第28页
  2.6.3 氮化镓其它新型低维结构第28-29页
 2.7 立题思路及意义第29-30页
第三章 试验内容和测试仪器第30-35页
 3.1 实验内容第30页
 3.2 试验方法和试验原理第30-31页
  3.2.1 热蒸发法第30页
  3.2.2 MOCVD法第30-31页
 3.3 测试仪器及方法第31-35页
  3.3.1 X射线衍射(XRD)第31-32页
  3.3.2 场发射扫描电镜(FESEM)第32-33页
  3.3.3 透射电子显微镜(TEM)第33页
  3.3.4 拉曼光谱(Raman)第33-34页
  3.3.5 光致发光谱和光致激发谱(PL & PLE)第34页
  3.3.6 X射线光电子能谱(XPS)第34-35页
第四章 一维ZnO纳米材料的制备与表征第35-63页
 4.1 引言第35-36页
 4.2 试验步骤第36页
 4.3 辐射状(Radial)ZnO纳米棒的制备第36-42页
  4.3.1 实验条件第36-37页
  4.3.2 结果表征与讨论第37-41页
  4.3.3 生长机理分析第41-42页
 4.4 掺Al的ZnO纳米棒的制备第42-48页
  4.4.1 实验条件第42页
  4.3.2 结果表征与讨论第42-48页
  4.4.3 生长机理分析第48页
 4.5 无催化剂宝塔型ZnCdO纳米棒的制备第48-53页
  4.5.1 实验条件第48页
  4.5.2 结果表征与讨论第48-53页
  4.5.3 生长机理分析第53页
 4.6 Au催化剂ZnCdO纳米棒的制备第53-58页
  4.6.1 实验条件第53-54页
  4.6.2 结果表征与讨论第54-58页
  4.6.3 生长机理分析第58页
 4.7 热蒸发法制备的其它一些ZnO一维纳米结构第58-62页
  4.7.1 准阵列和辐射状ZnO纳米棒的制备第58-61页
  4.7.2 其它不同形貌的ZnO,ZnCdO一维纳米结构的制备第61-62页
 4.8 小结第62-63页
第五章 一维氮化镓纳米材料的制备与表征第63-71页
 5.1 引言第63-64页
 5.2 试验步骤第64-67页
  5.2.1 实验设备第64-66页
  5.2.2 实验步骤第66-67页
 5.3 结果表征与讨论第67-69页
 5.4 生长机理分析第69-70页
 5.5 小结第70-71页
第6章 结论第71-72页
参考文献第72-78页
硕士在读期间发表文章第78-79页
致谢第79-80页

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