| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO及其压敏电阻的基本特性 | 第11-14页 |
| ·ZnO的基本物理、化学特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO压敏效应原理及其表征 | 第12-14页 |
| ·ZnO压敏电阻材料体系 | 第14-16页 |
| ·ZnO-Bi_2O_3系 | 第15页 |
| ·ZnO-稀土系 | 第15页 |
| ·ZnO-CuO,ZnO-BaO系 | 第15页 |
| ·ZnO-V_2O_5系 | 第15页 |
| ·玻璃系 | 第15-16页 |
| ·ZnO压敏电阻的低压化途径 | 第16页 |
| ·ZnO压敏电阻研究现状及发展方向预测 | 第16-19页 |
| ·ZnO压敏电阻研究现状 | 第16-18页 |
| ·ZnO交流高电位梯度电阻与直流电阻的研究现状 | 第16-17页 |
| ·低压ZnO压敏电阻电阻研究及应用现状 | 第17-18页 |
| ·发展方向预测 | 第18-19页 |
| ·制备技术方面 | 第18-19页 |
| ·理论研究方面 | 第19页 |
| ·课题来源、研究目的和研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 低压ZnO压敏陶瓷基础理论 | 第21-28页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·低压ZnO压敏电阻的相关理论 | 第21-24页 |
| ·低压ZnO压敏电阻的电子陷阱与表征 | 第21-22页 |
| ·低压ZnO压敏电阻导电机理 | 第22-23页 |
| ·低压ZnO压敏电阻的老化机制 | 第23-24页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的显微结构与晶界势垒 | 第24-26页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的显微结构 | 第24-25页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的晶界势垒 | 第25-26页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的掺杂改性与晶粒生长理论 | 第26-28页 |
| ·掺杂改性理论 | 第26-27页 |
| ·晶粒生长理论 | 第27-28页 |
| 第三章 ZnO压敏陶瓷低压化方案的选择与实验过程 | 第28-33页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·添加剂的选择 | 第28-29页 |
| ·制备工艺的选择 | 第29-31页 |
| ·原料与工艺设备的选择 | 第31-33页 |
| ·实验原料 | 第31-32页 |
| ·实验设备 | 第32-33页 |
| 第四章 ZnO压敏陶瓷低压化的实验结果与分析 | 第33-57页 |
| ·低压化配方体系中各种添加物的影响研究 | 第33-44页 |
| ·PbO掺杂对材料电性能的影响 | 第34页 |
| ·Ba_2O_3掺杂对材料电性能的影响 | 第34-35页 |
| ·Co_2O_3掺杂对材料电性能的影响 | 第35-36页 |
| ·MnO_2掺杂对材料电性能的影响 | 第36-37页 |
| ·Sb_2O_3掺杂对材料电性能的影响 | 第37-38页 |
| ·TiO_2掺杂对材料电性能的影响 | 第38-40页 |
| ·SiO_2掺杂对材料电性能的影响 | 第40-41页 |
| ·Fe_2O_3掺杂对材料电性能的影响 | 第41-42页 |
| ·Cr_2O_3掺杂对材料电性能的影响 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| ·ZnO压敏陶瓷低压化的烧结理论 | 第44-45页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的烧成制度研究 | 第45-50页 |
| ·烧成温度对显微结构的影响 | 第46-47页 |
| ·烧成温度对材料电性能的影响 | 第47-48页 |
| ·保温时间对电性能的影晌 | 第48-49页 |
| ·升温方式对ZnO压敏材料性能的影响 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·低压ZnO压敏陶瓷的制备工艺研究 | 第50-57页 |
| ·球磨时间对ZnO粉料粒径的影响 | 第50-52页 |
| ·球磨时间对ZnO压敏材料性能的影响 | 第52-53页 |
| ·预合成过程对ZnO压敏材料性能的影响 | 第53-55页 |
| ·不同预合成方式对电性能的影响 | 第53-54页 |
| ·不同预烧温度对电性能的影响 | 第54-55页 |
| ·不同预烧保温时间对电性能的影响 | 第55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第五章 低压ZnO压敏陶瓷的掺杂改性研究 | 第57-67页 |
| ·纳米ZnO添加改性研究 | 第57-59页 |
| ·纳米ZnO添加量对电性能的影响 | 第57-58页 |
| ·纳米ZnO添加对形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·纳米掺杂对低压ZnO压敏陶瓷电性能的作用机制分析 | 第59页 |
| ·稀土氧化物掺杂改性研究 | 第59-66页 |
| ·稀土氧化物掺杂量对电性能的影响 | 第60-61页 |
| ·稀土氧化物掺杂量对微观结构的影响 | 第61-66页 |
| ·稀土元素对ZnO压敏电阻电性能的作用机制分析 | 第66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第六章 梯度低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究 | 第67-73页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·梯度低压压敏陶瓷结构模型 | 第67-68页 |
| ·梯度低压ZnO压敏陶瓷的显微结构 | 第68-70页 |
| ·各叠加层及梯度电阻的配方和电性能 | 第70-71页 |
| ·A层—低压、高非线性层的配方 | 第70页 |
| ·A层配方的电性能 | 第70-71页 |
| ·B层—高电导ZnO层或TiO_2低压层的配方 | 第71页 |
| ·梯度低压ZnO压敏电阻的电性能 | 第71页 |
| ·梯度低压ZnO压敏陶瓷的制备技术研究 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第七章 低压ZnO压敏陶瓷掺杂的第一原理计算 | 第73-99页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·理论计算方法 | 第73-83页 |
| ·几种主要的计算方法 | 第73-79页 |
| ·正交化平面波法 | 第73-74页 |
| ·赝势法 | 第74页 |
| ·元胞法 | 第74-75页 |
| ·缀加平面波方法 | 第75-76页 |
| ·KKR法 | 第76-77页 |
| ·准粒子方程,GW近似 | 第77-78页 |
| ·Car-Parrinello方法 | 第78-79页 |
| ·密度泛函理论 | 第79-83页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第79-80页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第80-81页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第81-82页 |
| ·广义梯度近似(GGA)(推广梯度近似或广义梯度校正) | 第82-83页 |
| ·ZnO压敏陶瓷掺杂的第一原理计算 | 第83-99页 |
| ·CASTEP简介 | 第83-84页 |
| ·ZnO理想晶体电子结构计算 | 第84-86页 |
| ·ZnO本征缺陷的电子结构计算 | 第86-89页 |
| ·ZnO掺杂缺陷的电子结构计算 | 第89-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第八章 结论 | 第99-101页 |
| ·主要结论 | 第99-100页 |
| ·存在的主要问题及改进方向 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-111页 |
| 附录 | 第111页 |