| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| §1.1 光子晶体的特征 | 第10-11页 |
| ·光子带隙 | 第10页 |
| ·光子局域 | 第10-11页 |
| ·其它特征 | 第11页 |
| §1.2 光子晶体的制作方法 | 第11-15页 |
| ·物理方法 | 第12-13页 |
| ·胶体晶体法 | 第13-14页 |
| ·模板法 | 第14页 |
| ·双光子聚合法 | 第14页 |
| ·制作可调光子晶体 | 第14-15页 |
| §1.3 光子晶体的应用 | 第15-17页 |
| ·高性能反射镜 | 第15页 |
| ·光子晶体滤波器 | 第15页 |
| ·光子晶体偏振片 | 第15页 |
| ·光子晶体超棱镜 | 第15-16页 |
| ·光子晶体微腔 | 第16页 |
| ·光子晶体波导 | 第16页 |
| ·光子晶体光纤 | 第16页 |
| ·光子晶体发光二极管、激光器 | 第16-17页 |
| §1.4 光子晶体的发展及展望 | 第17-18页 |
| §1.5 本论文的选题背景、意义 | 第18-19页 |
| §1.6 本论文的工作 | 第19-20页 |
| 本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 光子带隙的电磁波理论 | 第24-34页 |
| §2.1 概述 | 第24页 |
| §2.2 光子带隙的电磁波理论 | 第24-29页 |
| ·电磁波在介质中的传播 | 第24-26页 |
| ·电磁波在周期性介质中的传播 | 第26-27页 |
| ·光子晶体和光子带隙 | 第27-29页 |
| §2.3 光子晶体的理论研究方法 | 第29-30页 |
| ·平面波方法 | 第29页 |
| ·转移矩阵法 | 第29页 |
| ·时域有限差分法 | 第29-30页 |
| ·多重散射法 | 第30页 |
| §2.3 三维光子晶体能带计算的平面波展开法 | 第30-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 SiO_2胶体光子晶体的制备及性能测试 | 第34-48页 |
| §3.1 人工欧泊制备方法概述 | 第34-35页 |
| ·自然沉降法 | 第34页 |
| ·电泳法 | 第34-35页 |
| ·离心沉积法 | 第35页 |
| ·过滤法 | 第35页 |
| §3.2 欧泊光子晶体表征手段 | 第35-37页 |
| ·紫外-可见光分光光度计 | 第35-36页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第36-37页 |
| §3.3 重力沉积法制备二氧化硅胶体光子晶体 | 第37-43页 |
| ·单分散二氧化硅颗粒的制备 | 第37-39页 |
| ·重力沉积法制备SiO_2胶体光子晶体 | 第39-43页 |
| §3.4 垂直沉积法制备SiO_2光子晶体模板 | 第43-47页 |
| ·实验 | 第43页 |
| ·垂直沉积法生长光子晶体原理 | 第43-45页 |
| ·结果和讨论 | 第45-47页 |
| 本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 MOCVD技术 | 第48-53页 |
| §4.1 MOCVD技术概述 | 第48-49页 |
| §4.2 MOCVD的生产设备 | 第49-51页 |
| ·气体处理系统 | 第49页 |
| ·MOCVD反应室 | 第49-50页 |
| ·尾气处理 | 第50页 |
| ·控制系统 | 第50-51页 |
| §4.3 低压MOCVD技术 | 第51-52页 |
| 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第五章 LP-MOCVD方法在SiO_2光子晶体空隙中填充InP的工艺设计 | 第53-62页 |
| §5.1 薄膜生长理论 | 第53-56页 |
| ·薄膜生长特点 | 第53-54页 |
| ·薄膜生长方法 | 第54页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第54-55页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第55-56页 |
| §5.2 生长InP源材料的选择 | 第56页 |
| ·衬底的选择 | 第56页 |
| ·源材料的选择 | 第56页 |
| ·InP生长设备 | 第56页 |
| §5.3 外延生长工艺设计 | 第56-59页 |
| ·模板表面的高温处理过程 | 第57页 |
| ·低温成核(缓冲)层的生长 | 第57页 |
| ·InP的高温生长 | 第57页 |
| ·停止生长与关机 | 第57-59页 |
| §5.4 TMIn和PH_3反应生长InP的反应机理 | 第59-61页 |
| ·TMIn的分解 | 第59页 |
| ·PH_3分解 | 第59-60页 |
| ·PH_3-TMIn-D_2系统中PH_3和TMIn的反应机理 | 第60-61页 |
| 本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第六章 LP-MOCVD法在SiO_2光子晶体空隙中生长InP的实验研究 | 第62-75页 |
| §6.1 成核条件的影响 | 第62-69页 |
| ·成核温度的影响 | 第62-67页 |
| ·PH_3流量的影响 | 第67-69页 |
| §6.2 生长周期的影响 | 第69-71页 |
| ·实验 | 第69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-71页 |
| §6.3 优化条件后的InP填充 | 第71-72页 |
| ·实验 | 第71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-72页 |
| §6.4 模板的腐蚀 | 第72页 |
| §6.5 InP衬底的影响 | 第72-74页 |
| 本章小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第七章 InP在空隙中优先生长机理及在SiO_2球表面的生长机理分析 | 第75-83页 |
| §7.1 InP在模板空隙中优先生因素分析 | 第75-79页 |
| ·低压生长特征 | 第75-76页 |
| ·凹结构成核 | 第76-78页 |
| ·GaAs衬底对InP成核的催化作用 | 第78页 |
| ·InP与SiO_2的异质同构 | 第78-79页 |
| §7.2 InP在SiO_2球表面的生长机理分析 | 第79-82页 |
| ·薄膜生长的一般机制 | 第79-80页 |
| ·InP在SiO_2球表面的生长机理 | 第80-82页 |
| 本章小结 | 第82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第八章 Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响 | 第83-91页 |
| §8.1 引言 | 第83页 |
| §8.2 样品和实验 | 第83-84页 |
| §8.3 GaInP/AlGaInP MQW结构外延片X射线双晶衍射测试 | 第84-85页 |
| ·X射线双晶衍射简介 | 第84页 |
| ·X射线双晶衍射测试结果分析 | 第84-85页 |
| §8.4 GaInP/AlGaInP MOW结构外延片光致发光测试 | 第85-89页 |
| ·光致发光原理 | 第85-87页 |
| ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片光致发光光谱研究 | 第87-89页 |
| 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 结论与展望 | 第91-92页 |
| 博士期间发表论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
