| 中文摘要 | 第1页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-14页 |
| ·研究的目的和意义 | 第6-8页 |
| ·国内外研究现状概述 | 第8-13页 |
| ·合成绝缘子的憎水性 | 第8-10页 |
| ·合成绝缘子憎水性及其迁移机理 | 第9页 |
| ·合成绝缘子憎水性的表征 | 第9-10页 |
| ·硅橡胶材料憎水性的丧失及恢复特性 | 第10页 |
| ·合成绝缘子的耐污性能 | 第10-12页 |
| ·合成绝缘子的污闪机理 | 第10-11页 |
| ·人工污秽试验方法 | 第11页 |
| ·影响合成绝缘子耐污闪性能的因素 | 第11-12页 |
| ·合成绝缘子的运行维护与在线监测 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 合成绝缘子污秽试验方法 | 第14-21页 |
| ·硅橡胶材料憎水性能的测试方法 | 第14-17页 |
| ·试品的准备和试验装置 | 第14页 |
| ·憎水性的基本测试方法 | 第14-16页 |
| ·憎水性丧失特性的测试方法 | 第16页 |
| ·硅橡胶憎水性迁移特性的测试方法 | 第16-17页 |
| ·污湿环境中合成绝缘子泄漏电流试验与闪络试验的方法 | 第17-20页 |
| ·试验原理与装置 | 第17-19页 |
| ·试品 | 第19页 |
| ·污湿环境中合成绝缘子泄漏电流及污闪试验方法 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 污湿环境中硅橡胶材料表面的憎水性及其迁移特性的研究 | 第21-33页 |
| ·硅橡胶材料的憎水性及其迁移机理 | 第22-25页 |
| ·硅橡胶材料的分子结构特征 | 第22-23页 |
| ·硅橡胶材料的憎水性及其迁移的机理 | 第23-25页 |
| ·硅橡胶表面呈现憎水性的机理 | 第23页 |
| ·硅橡胶表面憎水性迁移机理 | 第23-25页 |
| ·污湿环境中硅橡胶伞裙表面憎水性能试验测量结果及分析 | 第25-27页 |
| ·浸泡时间及溶液pH 值对憎水性的影响 | 第25-26页 |
| ·污秽度对憎水性迁移的影响 | 第26-27页 |
| ·ESDD 对憎水性迁移的影响 | 第26-27页 |
| ·NSDD 对憎水性迁移的影响 | 第27页 |
| ·运行中合成绝缘子伞裙上下表面憎水性的差异性 | 第27-29页 |
| ·电弧对合成绝缘子憎水性的影响 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 合成绝缘子泄漏电流的试验研究 | 第33-41页 |
| ·染污合成绝缘子表面的放电现象描述及泄漏电流特点 | 第33-35页 |
| ·洁净合成绝缘子泄漏电流与憎水性及盐雾电导率的关系 | 第35-36页 |
| ·成绝缘子形状及憎水性对泄漏电流的影响 | 第36-37页 |
| ·染污合成绝缘子泄漏电流与 ESDD 的关系 | 第37-38页 |
| ·染污合成绝缘子泄漏电流与 NSDD 的关系 | 第38-39页 |
| ·染污合成绝缘子泄漏电流与空气相对湿度的关系 | 第39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第五章 污湿环境中合成绝缘子污秽闪络特性研究 | 第41-50页 |
| ·合成绝缘子表面污闪过程描述 | 第41-42页 |
| ·合成绝缘子污闪电压电流波形分析 | 第42-43页 |
| ·影响合成绝缘子的污闪电压的因素 | 第43-47页 |
| ·憎水性对污闪电压的影响 | 第43-46页 |
| ·ESDD 对污闪电压的影响 | 第46-47页 |
| ·均压环在合成绝缘子污闪过程中的作用 | 第47页 |
| ·关于不明原因闪络的讨论 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 在学期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第57页 |
