紫外写入技术制作平面光波导器件的应用
| 第一章引言 | 第1-16页 |
| ·波分复用技术 | 第9-11页 |
| ·波分复用技术的概念 | 第9页 |
| ·波分复用技术的发展历程 | 第9-10页 |
| ·波分复用技术的主要特点 | 第10-11页 |
| ·波分复用器件 | 第11-14页 |
| ·光栅型WDM 器件 | 第11-12页 |
| ·介质薄膜滤波器型WDM 器件 | 第12-13页 |
| ·熔锥型WDM 器件 | 第13页 |
| ·集成光波导型WDM 器件 | 第13-14页 |
| ·列阵波导光栅波分复用器研究进展 | 第14-16页 |
| 第二章列阵波导光栅的原理、特性及应用 | 第16-33页 |
| ·列阵波导光栅基本理论 | 第16-20页 |
| ·列阵波导光栅的结构 | 第16-17页 |
| ·列阵波导光栅的工作原理 | 第17-20页 |
| ·列阵波导光栅器件性能优化 | 第20-27页 |
| ·温度误差补偿型AWG | 第20-22页 |
| ·波长响应平坦型AWG | 第22-24页 |
| ·相位误差补偿型AWG | 第24-25页 |
| ·偏振无关型AWG | 第25-26页 |
| ·低损耗型AWG | 第26页 |
| ·均匀损耗周期频率(ULCF)型AWG | 第26-27页 |
| ·列阵波导光栅的应用 | 第27-33页 |
| ·复用解复用器 | 第27-28页 |
| ·波长路由器 | 第28页 |
| ·光插分复用器(OADM ) | 第28-30页 |
| ·光交叉连接器(OXC) | 第30-31页 |
| ·多波长光源 | 第31页 |
| ·光波长选择开关(OWCS) | 第31-33页 |
| 第三章火焰水解法制备硅基二氧化硅波导材料 | 第33-47页 |
| ·硅基二氧化硅材料制备 | 第33-40页 |
| ·FHD 的原理、系统及实验过程 | 第34-36页 |
| ·SiO_2 膜的组分及结构分析 | 第36-38页 |
| ·SiO_2 膜的形貌分析 | 第38-39页 |
| ·SiO_2 膜的光学性质分析 | 第39-40页 |
| ·SiO_2 膜的厚度测试 | 第40页 |
| ·小结 | 第40页 |
| ·火焰水解法制备锗掺杂二氧化硅材料 | 第40-46页 |
| ·Ge 掺杂SiO_2 膜的结构分析 | 第41-42页 |
| ·Ge 掺杂量与材料折射率的关系 | 第42-43页 |
| ·Ge 掺杂SiO_2 膜的形貌分析 | 第43-44页 |
| ·Ge 掺杂SiO_2 膜的光学性质分析 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 锗硅材料的紫外光致折变研究 | 第47-58页 |
| ·锗硅光纤的紫外光敏特性 | 第47-50页 |
| ·锗硅材料的光致折变效应 | 第47页 |
| ·锗硅材料的光致折变机理 | 第47-48页 |
| ·锗硅薄膜光致折变效应的应用 | 第48-50页 |
| ·锗硅薄膜的紫外光致折变的实验研究 | 第50-56页 |
| ·锗硅薄膜的紫外光诱导实验 | 第50-51页 |
| ·紫外曝光时间与折变量的关系 | 第51-53页 |
| ·紫外曝光时间对结构的影响 | 第53-55页 |
| ·紫外光致折变与厚度的关系 | 第55页 |
| ·锗硅薄膜的紫外吸收特性 | 第55-56页 |
| ·结论 | 第56-58页 |
| 第五章 紫外写入列阵波导光栅技术基础研究 | 第58-66页 |
| ·紫外写入列阵波导光栅技术 | 第58-61页 |
| ·传统方法制作列阵波导光栅 | 第58页 |
| ·紫外写入AWG 的制作工艺 | 第58-60页 |
| ·紫外写入AWG 的工艺参数设计 | 第60页 |
| ·紫外写入AWG 器件参数优化 | 第60-61页 |
| ·紫外写入平面波导光栅的实验研究 | 第61-64页 |
| ·紫外曝光掩模板的选择与制作 | 第61-62页 |
| ·紫外写入制备平面波导光栅 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| ·结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 中文摘要 | 第73-76页 |
| 英文摘要 | 第76-79页 |
