| 第一章 前言 | 第1-10页 |
| 第二章 SnO_2导电薄膜国内外研究现状 | 第10-32页 |
| 2．1 掺杂SnO_2薄膜的导电机理 | 第10-19页 |
| 2．1．1 半导体的导电机理 | 第10-19页 |
| 2．1．2 掺锑、氟SnO_2薄膜的导电机理 | 第19页 |
| 2．2 掺杂半导体薄膜的光学性能 | 第19-25页 |
| 2．2．1 半导体薄膜对光子的吸收 | 第19-24页 |
| 2．2．2 光电导 | 第24-25页 |
| 2．3 掺杂SnO_2薄膜材料的常见制备方法 | 第25-30页 |
| 2．3．1 溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
| 2．3．2 溅射法 | 第27-29页 |
| 2．3．3 喷雾热解法 | 第29-30页 |
| 2．4 选题的研究内容和研究目标 | 第30-32页 |
| 第三章 ATO(SnO_2·Sb)电热薄膜的制备 | 第32-47页 |
| 3．1 实验内容 | 第32-36页 |
| 3．1．1 实验原料 | 第32页 |
| 3．1．2 实验主要设备及仪器 | 第32-33页 |
| 3．1．3 实验过程 | 第33-34页 |
| 3．1．4 实验流程图 | 第34页 |
| 3．1．5 工艺条件的优化 | 第34-36页 |
| 3．2 样品的微观表征 | 第36-40页 |
| 3．2．1 XRD表征 | 第36-38页 |
| 3．2．2 SEM表征 | 第38-40页 |
| 3．3 分析与讨论 | 第40-44页 |
| 3．3．1 喷涂温度对薄膜方阻R□的影响 | 第40页 |
| 3．3．2 喷涂时间对薄膜方阻R□的影响 | 第40-41页 |
| 3．3．3 Sb的掺杂量对薄膜方阻R□的影响 | 第41-42页 |
| 3．3．4 Zn的掺杂量对薄膜方阻R□的影响 | 第42-43页 |
| 3．3．5 热处理对薄膜方阻R□的影响 | 第43-44页 |
| 3．4 薄膜电热应用实验 | 第44-46页 |
| 3．4．1 检测方法 | 第44-45页 |
| 3．4．2 实验过程 | 第45-46页 |
| 3．5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 FTO(SnO_2·F)透明导电薄膜的制备 | 第47-61页 |
| 4．1 实验内容 | 第47-50页 |
| 4．1．1 实验原料 | 第47页 |
| 4．1．2 实验主要设备及仪器 | 第47-48页 |
| 4．1．3 实验过程 | 第48-49页 |
| 4．1．4 工艺流程图 | 第49页 |
| 4．1．5 工艺条件的优化 | 第49-50页 |
| 4．2 样品的微观表征 | 第50-55页 |
| 4．2．1 XRD表征 | 第50-54页 |
| 4．2．2 SEM表征 | 第54-55页 |
| 4．3 分析与讨论 | 第55-60页 |
| 4．3．1 成膜温度对薄膜方阻R□和透过率T的影响 | 第55-56页 |
| 4．3．2 沉积时间对薄膜方阻R□和透过率T的影响 | 第56-57页 |
| 4．3．3 F掺杂量对薄膜方阻R□和透过率T的影响 | 第57-59页 |
| 4．3．4 热处理对薄膜方阻R□的影响 | 第59页 |
| 4．3．5 薄膜在可见光范围内的透过率 | 第59-60页 |
| 4．4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5．1 全文主要结论 | 第61-62页 |
| 5．2 进一步的工作 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 附录：硕士研究生学习阶段发表论文 | 第70页 |
