| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 概论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·量子点的概念和量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| ·量子点的态密度 | 第12-13页 |
| ·量子点的量子态 | 第13-16页 |
| ·量子点中单个激子的量子态 | 第16-18页 |
| ·半导体量子点的制备 | 第18-20页 |
| ·半导体量子点的应用 | 第20-22页 |
| ·半导体量子点激光器 | 第20页 |
| ·半导体量子点红外探测器 | 第20-21页 |
| ·基于半导体量子点的单光子光源 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方法和原理 | 第23-39页 |
| ·光致发光光谱 | 第23-31页 |
| ·常规光致发光光谱 | 第25-26页 |
| ·显微光致发光光谱 | 第26-28页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第28-30页 |
| ·瞬态荧光光谱 | 第30-31页 |
| ·拉曼散射光谱 | 第31-34页 |
| ·纳米多维光谱实验平台 | 第34-38页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·纳米多维光谱实验系统的设计和结构 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 生长在GaAs(100)衬底上的InAs/GaAs量子点的光谱和光学性质研究——半导体量子点集合中激子能态的类原子壳层结构 | 第39-56页 |
| ·研究背景 | 第39-40页 |
| ·InAs/GaAs量子点的制备 | 第40-41页 |
| ·InAs/GaAs量子点的AFM表征及实验方法与条件 | 第41-42页 |
| ·InAs/GaAs量子点的显微荧光光谱研究 | 第42-49页 |
| ·强磁场下InAs/GaAs量子点的显微荧光光谱研究 | 第49-54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 生长在GaAs(311)B衬底上的InAs/In_(0.35)Ga_(0.65)As量子点的光谱和光学性质研究——In_(0.35)Ga_(0.65)As模板对InAs量子点的形成及光学性质的影响 | 第56-65页 |
| ·研究背景 | 第56-57页 |
| ·InAs/In_(0.35)Ga_(0.65)As量子点的制备和实验方法 | 第57-58页 |
| ·InAs/In_(0.35)Ga_(0.65)As量子点的AFM研究 | 第58-59页 |
| ·InAs/In_(0.35)Ga_(0.65)As量子点的显微荧光光谱研究 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第五章 CdSe/ZnSe半导体量子点的光谱和光学性质研究——两类量子岛之间的激子转移及其峰位红移机制 | 第65-79页 |
| ·研究背景 | 第65-66页 |
| ·CdSe/ZnSe量子点的制备 | 第66页 |
| ·实验方法和条件 | 第66-67页 |
| ·CdSe/ZnSe量子点的荧光光谱研究 | 第67-71页 |
| ·CdSe/ZnSe量子点的显微荧光和显微拉曼光谱研究 | 第71-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第六章 单个或少数几个CdSe/ZnSe半导体量子点的光谱和光学性质研究——单个量子点中激子能态的类原子壳层结构 | 第79-87页 |
| ·研究背景 | 第79页 |
| ·单个CdSe/ZnSe量子点的制备 | 第79-81页 |
| ·光谱实验方法和条件 | 第81页 |
| ·单个CdSe/ZnSe量子点的显微荧光光谱 | 第81-85页 |
| ·小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 攻读博士学位期间的论文发表情况 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
