第一章 序言 | 第1-16页 |
1-1 太阳电池的发展历史及现状 | 第9-10页 |
1-2 太阳电池的研究概况 | 第10-14页 |
1-2-1 单晶硅太阳电池 | 第11页 |
1-2-2 多晶硅太阳电池 | 第11页 |
1-2-3 非晶硅/单晶硅异质结(HITTM)太阳电池 | 第11-12页 |
1-2-4 非晶硅薄膜太阳电池 | 第12-13页 |
1-2-5 铜铟(镓)硒(CIS或CIGS)薄膜太阳电池 | 第13页 |
1-2-6 碲化镉(CdTe)太阳电池 | 第13-14页 |
1-3 本论文主要研究内容 | 第14页 |
参考文献 | 第14-16页 |
第二章 太阳电池的原理 | 第16-23页 |
2-1 太阳电池的工作原理 | 第16-18页 |
2-1-1 光电转换过程 | 第16页 |
2-1-2 光生伏特效应 | 第16-17页 |
2-1-3 P-N结的形成 | 第17-18页 |
2-2 硅单晶太阳电池η影响因素 | 第18-22页 |
2-2-1 电池的伏安特性 | 第18-19页 |
2-2-2 影响电池效率的因素 | 第19-20页 |
2-2-3 半导体中的复合过程 | 第20-22页 |
参考文献 | 第22-23页 |
第三章 太阳电池制备工艺及测试方法 | 第23-31页 |
3-1 常规太阳电池制备工艺 | 第23-27页 |
3-1-1 化学清洗 | 第23-24页 |
3-1-2 扩散 | 第24-26页 |
3-1-3 真空蒸镀法的基本原理和设备 | 第26-27页 |
3-2 所用的测试方法 | 第27-30页 |
3-2-1 光电导衰减法(PCD)测试硅片少子寿命 | 第27-29页 |
3-2-2 电池性能测试与分析(Ⅰ-Ⅴ曲线) | 第29页 |
3-2-3 电池的QE测量 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-31页 |
第四章 非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池初步研究 | 第31-42页 |
4-1 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池简介 | 第31-34页 |
4-1-1 研究背景 | 第31页 |
4-1-2 非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT)结构简介 | 第31-34页 |
4-2 n-type nc-Si/p-type c-Si HIT太阳电池的研制 | 第34-40页 |
4-2-1 实验过程 | 第34-38页 |
4-2-2 结果与讨论 | 第38-40页 |
4-3 小结 | 第40页 |
参考文献 | 第40-42页 |
第五章 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池中透明导电膜的工艺优化 | 第42-55页 |
5-1 透明导电膜的种类及特点 | 第42-43页 |
5-2 透明导电膜在太阳能电池的应用 | 第43页 |
5-3 TCO制备工艺和实验设备 | 第43-45页 |
5-3-1 磁控溅射工艺原理 | 第43-44页 |
5-3-2 实验设备 | 第44-45页 |
5-4 制备过程及性能测试 | 第45-47页 |
5-4-1 样品预处理 | 第45页 |
5-4-2 实验过程 | 第45-46页 |
5-4-3 薄膜性能测试 | 第46-47页 |
5-5 Zno薄膜的研究 | 第47-48页 |
5-6 ITO薄膜的研究 | 第48-53页 |
5-6-1 实验过程 | 第48-49页 |
5-6-2 实验结果和讨论 | 第49-52页 |
5-6-3 ITO膜特性对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的影响 | 第52-53页 |
5-7 小结 | 第53页 |
参考文献 | 第53-55页 |
第六章 晶硅太阳电池中磷铝吸杂的研究 | 第55-63页 |
6-1 硅中杂质的类别及性质 | 第55-56页 |
6-1-1 重金属杂质 | 第55页 |
6-1-2 碱金属杂质 | 第55-56页 |
6-1-3 非金属杂质 | 第56页 |
6-2 吸杂技术 | 第56-58页 |
6-2-1 吸杂技术在太阳电池中的应用 | 第56-57页 |
6-2-2 吸杂原理 | 第57-58页 |
6-3 器件制备 | 第58页 |
6-4 单晶硅片吸杂测试结果和分析 | 第58-59页 |
6-4-1 单晶硅吸杂前后少子寿命的比较 | 第58-59页 |
6-4-2 单晶硅吸杂后间隙氧含量的变化 | 第59页 |
6-5 多晶硅片吸杂测试结果和分析 | 第59-62页 |
6-5-1 多晶硅吸杂少子寿命的变化 | 第59-61页 |
6-5-2 氧含量对多晶硅磷-铝联合吸杂效果的影响 | 第61-62页 |
6-6 小结 | 第62页 |
参考文献 | 第62-63页 |
第七章 总结 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65页 |