| 摘 要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·SiC材料特性及其研究意义 | 第8-10页 |
| ·SiC MOS器件的发展现状和主要问题 | 第10-11页 |
| ·本文的主要研究内容及其意义 | 第11-13页 |
| 2 SiC MOS电容特性分析 | 第13-25页 |
| ·SiC 中杂质的不完全离化 | 第13-16页 |
| ·SiC MOS电容的电特性 | 第16-23页 |
| ·SiC MOS的平带电容 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 3 SiO2/SiC的界面特性及其表征 | 第25-37页 |
| ·MOS系统中的界面/近界面电荷 | 第25-27页 |
| ·SiO2/SiC界面态的起源 | 第27-30页 |
| ·界面态的测量 | 第30-35页 |
| ·边界陷阱密度的测量 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 SiO2/SiC界面对 n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 | 第37-47页 |
| ·反型沟道低场电子迁移率模型 | 第37-42页 |
| ·高场电子迁移率 | 第42-43页 |
| ·迁移率的模拟结果及其分析 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 5 TCE氧化法制备6H-SiC MOS电容的界面特性 | 第47-61页 |
| ·界面改善方法概述 | 第47-49页 |
| ·样品的制备 | 第49-50页 |
| ·样品的测量与结果 | 第50-58页 |
| ·结果分析与讨论 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 6 总结 | 第61-63页 |
| 致 谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文的目录 | 第73页 |