中文摘要 | 第1-4页 |
英文摘要 | 第4-9页 |
第1章 绪论 | 第9-17页 |
·光写入波导技术的研究现状 | 第9-10页 |
·光折变晶体中的光写入波导技术 | 第10-16页 |
·激光显微机械加工技术 | 第11-12页 |
·结构光辐照技术 | 第12-13页 |
·空间孤子诱导波导技术 | 第13-14页 |
·光写入波导的固定技术 | 第14-15页 |
·光写入波导技术的优势 | 第15-16页 |
·本文的主要工作 | 第16-17页 |
第2章 理论基础 | 第17-23页 |
·光折变晶体中光激发载流子的迁移机制 | 第17-19页 |
·扩散 | 第17页 |
·漂移 | 第17-18页 |
·体光伏效应 | 第18-19页 |
·电荷载流子的输运模型 | 第19-20页 |
·单中心模型 | 第19页 |
·双中心模型 | 第19-20页 |
·三价态模型 | 第20页 |
·光折变晶体的线性电光效应 | 第20-22页 |
·外场作用下晶体折射率椭球的变化 | 第20-21页 |
·线性电光效应 | 第21-22页 |
·光折变动力学方程组 | 第22-23页 |
第3章 光折变晶体中光致折射率变化的可视化 | 第23-31页 |
·切片干涉法 | 第23-26页 |
·测量光路及原理 | 第23-24页 |
·细光束在LiNbO_3:Fe晶体中引起折射率变化的可视化测量 | 第24页 |
·测量光路中CCD或晶体离焦对折射率测量的影响 | 第24-26页 |
·误差分析 | 第26页 |
·数字全息法 | 第26-30页 |
·测量光路及测量原理 | 第26-28页 |
·测量结果 | 第28-30页 |
·精度分析 | 第30页 |
本章小结 | 第30-31页 |
第4章 SBN:Cr晶体中光写入通道光波导阵列的研究 | 第31-39页 |
·SBN:Cr晶体的结构及其光折变性质 | 第31-33页 |
·SBN:Cr晶体的结构 | 第31-32页 |
·SBN:Cr晶体的光折变性质 | 第32-33页 |
·通道光波导阵列的光写入方法及理论分析 | 第33-35页 |
·通道波导阵列的光写入方法 | 第33页 |
·理论分析及数值模拟 | 第33-35页 |
·SBN:Cr晶体中光写入通道光波导阵列的实验研究 | 第35-38页 |
·实验光路 | 第35页 |
·θ_1=θ_2=45°,α_1=α_2时的实验结果 | 第35-36页 |
·θ_1=0°,θ_2=90°,α_1=α_2时的实验结果 | 第36-38页 |
·θ_1=θ_2=45°,α_1=2α_2时的实验结果 | 第38页 |
·分析与讨论 | 第38页 |
本章小结 | 第38-39页 |
第5章 LiNbO_3:Fe晶体中光写入波导的研究 | 第39-78页 |
·LiNbO_3:Fe晶体的结构及其光折变性质 | 第39-41页 |
·LiNbO_3:Fe晶体的结构 | 第39-40页 |
·LiNbO_3:Fe晶体的光折变性质 | 第40-41页 |
·LiNbO_3:Fe晶体中光致折射率变化规律的实验研究 | 第41-51页 |
·光致折射率改变随时间的变化规律 | 第41-42页 |
·截面为三角形的光束在晶体中导致的折射率变化 | 第42-43页 |
·截面为正方形的光束在晶体中导致的折射率变化 | 第43-45页 |
·截面为矩形的光束在晶体中导致的折射率变化 | 第45-49页 |
·不同光强分布的光束导致的折射率变化分布 | 第49-51页 |
·LiNbO_3:Fe晶体中光致折射率变化的数值模拟方法研究 | 第51-54页 |
·基于光折变动力学方程组的数值模拟方法 | 第51-52页 |
·基于体光伏效应的半定量数值模拟方法 | 第52-53页 |
·垂直于光轴方向的电场分量对折射率变化的影响 | 第53-54页 |
·对光致折射率变化规律实验测量结果的分析讨论 | 第54-59页 |
·截面为三角形和正方形的光束导致的折射率变化 | 第54-57页 |
·沿光轴和垂直光轴方向矩形光斑的长度对折射率变化分布的影响 | 第57-58页 |
·片光导致折射率变化的最大值((Δn_e)_(max))与θ之间的关系 | 第58页 |
·光强分布与折射率变化分布之间的关系 | 第58-59页 |
·利用高斯片光在LiNbO_3:Fe晶体中写入平面光波导 | 第59-62页 |
·波导写入方法及实验光路 | 第59-60页 |
·片光以“三明治”方式辐照晶体时折射率的变化规律 | 第60页 |
·平面波导的光写入实验结果 | 第60-61页 |
·光写入平面波导的导光特性 | 第61-62页 |
·利用掩模板在LiNbO_3:Fe晶体中写入平面和Y型光波导的研究 | 第62-65页 |
·波导写入方法及实验光路 | 第62-63页 |
·实验结果 | 第63-64页 |
·晶体中沿写入光束传播方向上的折射率变化 | 第64-65页 |
·晶体中光致折射率变化不对称性的分析 | 第65页 |
·利用四次曝光法在LiNbO_3:Fe晶体中写入通道光波导的实验结果 | 第65-67页 |
·波导写入方法及实验光路 | 第65-66页 |
·实验结果 | 第66-67页 |
·利用液晶光阀在LiNbO_3:Fe晶体中写入Y型和光纤状光波导 | 第67-69页 |
·波导的写入方法及实验光路 | 第67-68页 |
·实验结果 | 第68-69页 |
·LiNbO_3:Fe晶体中白光写入的具有任意折射率分布的光波导 | 第69-73页 |
·利用电寻址的液晶光阀得到具有不同强度分布的写入光 | 第69-71页 |
·波导的写入方法及实验光路 | 第71-72页 |
·实验结果 | 第72-73页 |
·四光束干涉法在LiNbO_3:Fe晶体中写入通道光波导阵列 | 第73-75页 |
·理论分析及数值模拟 | 第73页 |
·实验结果 | 第73-75页 |
·利用双光束干涉场在LiNbO_3:Fe晶体中写入通道光波导阵列 | 第75-77页 |
·通道波导阵列的写入方法 | 第75-76页 |
·利用双光束干涉场两次辐照LiNbO_3:Fe晶体写入通道波导阵列 | 第76-77页 |
本章小结 | 第77-78页 |
第6章 KNSBN:Ce晶体中光写入波导的研究 | 第78-85页 |
·KNSBN:Ce晶体的结构及其光折变性质 | 第78-79页 |
·KNSBN:Ce晶体的结构 | 第78页 |
·KNSBN:Ce晶体的光折变性质 | 第78-79页 |
·KNSBN:Ce晶体中光写入平面和光纤状光波导结构的实验研究 | 第79-81页 |
·实验光路 | 第79-80页 |
·实验结果 | 第80-81页 |
·关于KNSBN:Ce晶体中光致折射率变化的讨论 | 第81页 |
·KNSBN:Ce晶体中光写入平面光波导阵列的实验研究 | 第81-83页 |
·平面波导阵列的写入实验光路 | 第81-82页 |
·实验结果 | 第82-83页 |
·KNSBN:Ce晶体中光写入通道光波导阵列的实验研究 | 第83-84页 |
·通道波导阵列的光写入方法及实验光路 | 第83页 |
·实验结果 | 第83-84页 |
本章小结 | 第84-85页 |
第7章 结论与展望 | 第85-88页 |
·结论 | 第85-87页 |
·展望 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-94页 |
硕士期间发表和完成的学术论文 | 第94-96页 |
致谢 | 第96-97页 |