| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-31页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·硅中氧 | 第12-17页 |
| ·氧的引入 | 第13-14页 |
| ·氧的扩散 | 第14-15页 |
| ·氧的测量 | 第15-17页 |
| ·硅中氧沉淀 | 第17-27页 |
| ·氧沉淀的形态 | 第17-19页 |
| ·氧沉淀的形核与长大 | 第19-20页 |
| ·氧沉淀的影响因素 | 第20-23页 |
| ·初始氧浓度 | 第21页 |
| ·本征点缺陷 | 第21-22页 |
| ·重掺杂元素 | 第22-23页 |
| ·氧沉淀的热处理性质 | 第23-25页 |
| ·热处理气氛对氧沉淀的作用 | 第23-24页 |
| ·热处理温度、时间和次序对氧沉淀的影响 | 第24-25页 |
| ·硅中氧沉淀诱生缺陷 | 第25页 |
| ·硅中氧沉淀及其诱生缺陷的观测 | 第25-27页 |
| ·红外吸收光谱技术 | 第26页 |
| ·化学择优腐蚀显示 | 第26页 |
| ·透射电子显微镜 | 第26-27页 |
| ·硅中氧的内吸杂研究 | 第27-29页 |
| ·本工作主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第三章 实验设备及方法 | 第31-37页 |
| ·实验设备 | 第31-35页 |
| ·扩散炉 | 第31页 |
| ·快速热处理炉 | 第31-32页 |
| ·四探针电阻率测试仪 | 第32页 |
| ·金相显微镜 | 第32页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪 | 第32页 |
| ·气相熔融分析测氧仪 | 第32-35页 |
| ·样品的制备 | 第35-37页 |
| ·待热处理硅片样品表面预处理 | 第35-36页 |
| ·热处理后硅片样品缺陷择优腐蚀 | 第36-37页 |
| 第四章 重掺杂元素对直拉硅单晶氧沉淀及其诱生缺陷的影响 | 第37-46页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 N型重掺(As、Sb)硅单晶氧沉淀及其诱生缺陷行为研究 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验 | 第46-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·低温退火样品氧沉淀与诱生缺陷 | 第48页 |
| ·低高温两步退火样品氧沉淀与诱生缺陷 | 第48-54页 |
| ·重掺Sb硅片 | 第51-53页 |
| ·重掺As硅片 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第六章 RTP在N型重掺硅片内吸杂工艺中的应用 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·高温单步退火 | 第58-60页 |
| ·低高温两步退火 | 第60-61页 |
| ·实验机理的讨论 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |