| 致 谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1．1 半导体激光器的发展和应用 | 第9-13页 |
| 1．1．1 半导体激光器的发展 | 第9-12页 |
| 1．1．2 半导体激光器的应用 | 第12-13页 |
| 1．2 大功率半导体激光器及其应用 | 第13-16页 |
| 1．2．1 激光二极管泵浦的固体激光器（DPSL） | 第14-15页 |
| 1．2．2 掺饵光纤放大器（EDFA） | 第15-16页 |
| 1．3 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 新型高效大功率半导体激光器的提出、原理和设计要点 | 第18-32页 |
| 2．1 普通大功率半导体激光器存在的问题和限制 | 第18-23页 |
| 2．1．1 量子效率接近理论极限 | 第19页 |
| 2．1．2 大电流工作时存在的问题 | 第19-21页 |
| 2．1．3 灾变性端面损坏（COD） | 第21-23页 |
| 2．2 新型大功率半导体激光器的工作机理 | 第23-26页 |
| 2．3 新型激光器和普通结构激光器特性的分析和对比 | 第26-28页 |
| 2．3．1 内量子效率 | 第26页 |
| 2．3．2 外微分量子效率 | 第26-27页 |
| 2．3．3 光功率转换效率 | 第27-28页 |
| 2．3．4 阈值电流密度 | 第28页 |
| 2．4 新型激光器的设计要点 | 第28-30页 |
| 2．4．1 隧道结的优化 | 第28-29页 |
| 2．4．2 光耦合与载流子限制的问题 | 第29-30页 |
| 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 量子效率大于1的新型激光器 | 第32-48页 |
| 3．1 隧道结电学特性分析与制备 | 第32-39页 |
| 3．1．1 隧道结电学特性分析 | 第32-37页 |
| 3．1．2 GaAs隧道结的制备 | 第37-39页 |
| 3．2 量子效率大于1的新型多有源区隧道再生量子阱激光器 | 第39-44页 |
| 3．2．1 新型双有源区隧道再生量子阱激光器 | 第39-42页 |
| 3．2．2 新型三有源区隧道再生量子阱激光器 | 第42-44页 |
| 3．3 GaAs隧道结光吸收损耗对新型激光器模式特性的影响 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 隧道结中吸收损耗的分析和实验测量 | 第48-69页 |
| 4．1 隧道结中吸收跃迁机制的理论分析 | 第48-60页 |
| 4．1．1 带间本征吸收跃迁 | 第49-56页 |
| 4．1．2 带内跃迁吸收 | 第56-60页 |
| 4．2 重掺杂GaAs吸收边以下及附近吸收系数的实验测量 | 第60-65页 |
| 4．2．1 实验方案的选择 | 第60-61页 |
| 4．2．2 透过率法的实验原理、实验设备和具体方法 | 第61-62页 |
| 4．2．3 样品的制备和参数 | 第62-63页 |
| 4．2．4 实验结果和数据分析 | 第63-65页 |
| 4．3 GaAs隧道结对980nm光的吸收损耗 | 第65-66页 |
| 4．3．1 耗尽层外的带内跃迁吸收损耗 | 第66页 |
| 4．3．2 耗尽层中的带间跃迁吸收损耗 | 第66页 |
| 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 隧道结的优化设计与基模激射的隧道再生激光器 | 第69-75页 |
| 5．1 隧道结的优化设计 | 第69-71页 |
| 5．1．1 用低Al组分的Al_xGa_（1-x）As代替GaAs材料制备隧道结 | 第69-70页 |
| 5．1．2 增加p型GaAs一侧耗尽层宽度和降低隧道结生长厚度 | 第70页 |
| 5．1．3 小吸收损耗隧道结的设计 | 第70-71页 |
| 5．2 基模激射的隧道再生量子阱激光器 | 第71-74页 |
| 本章小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 结束语 | 第75页 |
