| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-28页 |
| ·ZnO的结构与性质 | 第11-15页 |
| ·ZnO的基本结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第13-15页 |
| ·ZnO的其他性质 | 第15页 |
| ·ZnO的掺杂 | 第15-21页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第15页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第15-21页 |
| ·ZnMgO的结构、性质及其研究现状 | 第21-26页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的结构、性质 | 第21-22页 |
| ·ZnMgo的研究现状 | 第22-26页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO的应用 | 第26-27页 |
| ·立题背景目的及主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第三章 实验设备、过程及性能评价方法 | 第28-35页 |
| ·直流反应磁控溅射技术 | 第28-30页 |
| ·实验过程 | 第30-32页 |
| ·靶材的制备 | 第30-31页 |
| ·衬底的准备与清洗 | 第31-32页 |
| ·直流反应磁控溅射制备ZnMgO薄膜的过程 | 第32页 |
| ·几个实验中基本参数的控制及其影响 | 第32-34页 |
| ·靶基距 | 第33页 |
| ·溅射功率 | 第33-34页 |
| ·性能评价 | 第34-35页 |
| 第四章 Mg含量变化对于p型Ga-N共掺ZnMgO薄膜性能的影响 | 第35-48页 |
| ·样品制备 | 第35-36页 |
| ·靶材与Ga-N共掺ZnMgO薄膜的成分对比 | 第36-37页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜晶体质量分析 | 第37-39页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜光学性能分析 | 第39-42页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜电学性能分析 | 第42-45页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜的元素化学态分析 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 工作气氛及衬底对于Ga-N共掺ZnMgO薄膜性能的影响 | 第48-67页 |
| ·Ar/N_2O流量比对于Ga-N共掺ZnMgO薄膜性能的影响 | 第49-56页 |
| ·选择N_2O的原因 | 第49-52页 |
| ·样品制备 | 第52-53页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜晶体质量的分析 | 第53-54页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜电学性能的分析 | 第54-55页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜光学性能分析 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56页 |
| ·O_2/(NH_3+O_2)比对于Ga-N共掺ZnMgO薄膜性能的影响 | 第56-63页 |
| ·选择NH_3的原因 | 第56-58页 |
| ·样品制备 | 第58-59页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜晶体质量、光学性能分析 | 第59-61页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜电学性能的分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| ·衬底对于Ga-N共掺ZnMgO薄膜性能的影响 | 第63-66页 |
| ·样品制备 | 第63页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgO薄膜电学性能的分析 | 第63-64页 |
| ·Ga-N共掺ZnMgo薄膜的晶体质量分析 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 本文总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
