| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-31页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第11页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的其他性质 | 第13页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第13-17页 |
| ·紫外光探测器 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·发光器件 | 第15页 |
| ·气敏器件 | 第15-16页 |
| ·压电器件 | 第16页 |
| ·压敏器件 | 第16-17页 |
| ·其他应用 | 第17页 |
| ·压敏电阻器的应用 | 第17-19页 |
| ·应用类型 | 第17-18页 |
| ·应用领域 | 第18-19页 |
| ·氧化锌压敏电阻的研究状况和发展趋势 | 第19-28页 |
| ·理论研究 | 第19-21页 |
| ·研制开发 | 第21-22页 |
| ·制备工艺的发展概况 | 第22-23页 |
| ·应用技术的发展 | 第23-28页 |
| ·压敏电阻的发展趋势 | 第28-29页 |
| ·本文研究目的及研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 ZnO压敏电阻器低压化方法 | 第31-38页 |
| ·减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度 | 第31-33页 |
| ·减少单圆片式ZnO压敏电阻器瓷片的厚度 | 第31页 |
| ·薄膜式ZnO压敏电阻器 | 第31-32页 |
| ·多层片式ZnO压敏电阻器(ZnO MLCV) | 第32-33页 |
| ·降低ZnO压敏电阻器瓷片中单晶界层击穿电压 | 第33-35页 |
| ·增大ZnO平均晶粒尺寸 | 第35-37页 |
| ·提高烧结温度及延长保温时间法 | 第35-36页 |
| ·掺入晶粒助长剂法 | 第36页 |
| ·籽晶法 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第38-47页 |
| ·直流反应磁控溅射的原理 | 第38-40页 |
| ·溅射薄膜的形成理论 | 第40-41页 |
| ·直流反应磁控溅射的特点 | 第41页 |
| ·直流反应磁控溅射薄膜的影响因素 | 第41-42页 |
| ·实验设备 | 第42-44页 |
| ·实验制备过程 | 第44-45页 |
| ·靶材的制备 | 第44页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第44页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第44-45页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第45-46页 |
| ·X射线衍射(XRD)测试 | 第45-46页 |
| ·I-V曲线测试 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 叠层状ZnO薄膜压敏变阻器的制备和性能研究 | 第47-54页 |
| ·氧气流量对ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第47-49页 |
| ·Al-ZnO-Al叠层状薄膜的制备 | 第49页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第49-50页 |
| ·ZnO薄膜的厚度 | 第50-51页 |
| ·叠层状ZnO薄膜的I-V特性 | 第51页 |
| ·二、三单元变阻器的I-V曲线特征 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 Al-CuO-Al叠层状薄膜压敏变阻器的制备和表征 | 第54-58页 |
| ·O_2/Ar流量比对薄膜晶体结构的影响 | 第54-55页 |
| ·Al-CuO-Al薄膜的制备 | 第55页 |
| ·CuO薄膜的晶体结构 | 第55-56页 |
| ·叠层状CuO薄膜的I-V特性 | 第56页 |
| ·二、三单元I-V曲线特征 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |