| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 概述 | 第12-27页 |
| ·分离科学与技术概述 | 第12-14页 |
| ·分离科学中的固相萃取技术简介 | 第14-23页 |
| ·固相萃取的基本原理 | 第15页 |
| ·固相萃取的装置 | 第15-17页 |
| ·固相萃取技术的应用 | 第17-19页 |
| ·固相萃取中常用的吸附剂 | 第19-21页 |
| ·固相萃取技术的发展趋势 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 对-四[(二甲胺基)甲基]-1,3二环氧丙基-杯[4]芳烃修饰的氨基丙基聚硅氧烷树脂对金属离子的选择性吸附性能及应用 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·实验部分 | 第28-31页 |
| ·试验仪器 | 第28页 |
| ·试剂 | 第28-29页 |
| ·吸附剂的合成 | 第29-30页 |
| ·对四[(二甲胺基)甲基]-1,3二环氧丙基-杯[4]芳烃(CA)的合成 | 第29页 |
| ·氨基丙基聚硅氧烷树脂(APPS)的合成 | 第29-30页 |
| ·对-四[(二甲胺基)甲基]-1,3二环氧丙基-杯[4]芳烃修饰的氨基丙基聚硅氧烷树脂(APPS-CA)的制备 | 第30页 |
| ·静态吸附试验 | 第30页 |
| ·动态吸附试验 | 第30页 |
| ·试样的制备 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·APPS-CA的表征 | 第31-32页 |
| ·富集酸度的影响 | 第32-33页 |
| ·振荡时间的影响 | 第33页 |
| ·流速的影响 | 第33-34页 |
| ·饱和吸附容量的测定 | 第34页 |
| ·最大试样体积、富集因子及洗脱条件 | 第34-35页 |
| ·共存离子的干扰 | 第35-36页 |
| ·方法的精密度和准确度 | 第36页 |
| ·实际样品分析 | 第36页 |
| 结论 | 第36-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 N,N-二甲基丙二胺对叔丁基杯[4]芳烃乙酰胺的合成及对痕量贵金属离子的选择吸附性能的研究 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验部分 | 第42-43页 |
| ·实验仪器 | 第42页 |
| ·试剂 | 第42页 |
| ·吸附剂的合成 | 第42-43页 |
| ·对叔丁基杯[4]芳烃乙酸乙酯的合成 | 第42-43页 |
| ·N,N-二甲基丙二胺对叔丁基杯[4]芳烃乙酰胺的合成 | 第43页 |
| ·静态吸附试验 | 第43页 |
| ·动态吸附试验 | 第43页 |
| ·试样的制备 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-49页 |
| ·N,N-二甲基丙二胺对叔丁基杯[4]芳烃乙酰胺的红外表征 | 第44页 |
| ·富集酸度的影响 | 第44-45页 |
| ·振荡时间的影响 | 第45页 |
| ·流速的影响 | 第45-46页 |
| ·饱和吸附容量的测定 | 第46页 |
| ·最大试样体积、富集因子及洗脱条件 | 第46-48页 |
| ·共存离子的干扰 | 第48页 |
| ·方法的精密度和检出限 | 第48页 |
| ·实际样品的分析 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 对苯二胺修饰的活性炭对水溶液中痕量Hg~(2+)的富集性能研究 | 第52-63页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验部分 | 第53-54页 |
| ·实验仪器 | 第53页 |
| ·试剂 | 第53-54页 |
| ·吸附剂的制备 | 第54页 |
| ·活性炭羧酸衍生物(AC-COOH)的制备 | 第54页 |
| ·活性炭键合对苯二胺吸附剂(AC-PD)的制备 | 第54页 |
| ·吸附试验 | 第54页 |
| ·试样的制备 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-60页 |
| ·AC-PD的红外表征 | 第54-56页 |
| ·酸度对吸附的影响 | 第56页 |
| ·分配系数 | 第56-57页 |
| ·振荡时间的影响 | 第57页 |
| ·洗脱条件 | 第57-58页 |
| ·饱和吸附量和吸附剂用量的选择 | 第58-59页 |
| ·最大试样体积 | 第59页 |
| ·干扰离子的影响 | 第59-60页 |
| ·分析方法的精密度和检出限 | 第60页 |
| ·实际样品的分析 | 第60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 结合本论文的一些展望 | 第63-64页 |
| 在读期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
