| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-25页 |
| ·紫外辐射 | 第7-8页 |
| ·半导体紫外光电探测器 | 第8-15页 |
| ·半导体光电探测器一些重要的特性参数 | 第8-11页 |
| ·半导体光电探测器的分类和特点 | 第11-14页 |
| ·理想半导体紫外光电探测器的特点 | 第14-15页 |
| ·MgZnO材料的特点及其紫外光电探测器的研究进展 | 第15-23页 |
| ·MgZnO的物理特性 | 第15-17页 |
| ·MgZnO作为紫外探测材料的优势及其发展现状 | 第17-23页 |
| ·MgZnO材料及其紫外光电探测器存在的问题 | 第23页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 MgZnO材料制备方法和表征手段以及紫外探测器件的制备和测量系统 | 第25-34页 |
| ·MgZnO薄膜的制备技术 | 第25-27页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术简介 | 第25-27页 |
| ·紫外探测器件的制备工艺 | 第27-28页 |
| ·金属电极的溅射 | 第27页 |
| ·光刻步骤 | 第27-28页 |
| ·MgZnO薄膜性质表征手段介绍 | 第28-32页 |
| ·X射线衍射谱 | 第28-30页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| ·紫外光电探测器件性能测试手段介绍 | 第32-33页 |
| ·光谱响应测试系统 | 第32页 |
| ·瞬态响应测量系统 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 ZnO薄膜及其MSM结构光导型紫外探测器的制备与特性 | 第34-40页 |
| ·ZnO薄膜的制备和结构光学特性 | 第34-36页 |
| ·ZnO光电导紫外探测器的制备和特性 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 MgZnO薄膜及MSM紫外探测器的制备与特性 | 第40-46页 |
| ·MgZnO薄膜的制备与结构光学性质研究 | 第40-41页 |
| ·Mg_(0.06)Zn_(0.94)OMSM结构紫外探测器的制备和性能研究 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
