摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
引言 | 第10-11页 |
第一章 太阳能及太阳电池 | 第11-24页 |
·太阳能概述 | 第11-13页 |
·太阳能的利用 | 第11页 |
·中国的太阳能资源分布 | 第11-12页 |
·太阳光辐射的测定 | 第12-13页 |
·太阳电池发展历史 | 第13-14页 |
·太阳电池基本原理 | 第14-17页 |
·太阳电池的结构 | 第14页 |
·热平衡下的半导体P-N结 | 第14-15页 |
·光生伏特效应 | 第15-16页 |
·太阳电池的工作原理 | 第16页 |
·产生光生电动势的条件 | 第16-17页 |
·太阳电池的输出特性 | 第17-18页 |
·描述太阳电池的参数 | 第18-19页 |
·开路电压V_(oc) | 第18页 |
·短路电流I_(sc) | 第18页 |
·填充因子FF | 第18页 |
·能量转化效率η | 第18-19页 |
·太阳电池的等效电路 | 第19-20页 |
·P-N结太阳电池的理想等效电路 | 第19页 |
·P-N结太阳电池的实际等效电路 | 第19-20页 |
·太阳电池的理论效率 | 第20-21页 |
·开路电压V_(oc) | 第20页 |
·短路电流I_(sc) | 第20页 |
·填充因子FF | 第20-21页 |
·影响太阳电池转换效率的因素 | 第21-22页 |
·光生电流的光学损失 | 第21页 |
·光生少子的收集几率 | 第21页 |
·影响开路电压的实际因素 | 第21页 |
·辐照效应 | 第21-22页 |
·总结 | 第22页 |
参考文献 | 第22-24页 |
第二章 太阳电池材料与技术 | 第24-33页 |
·引言 | 第24页 |
·硅太阳电池发展历史 | 第24-25页 |
·晶体硅太阳电池 | 第25-28页 |
·背表面电场技术 | 第25-26页 |
·紫外光电池技术 | 第26页 |
·减少表面光学反射技术 | 第26-27页 |
·背面反射镜技术 | 第27页 |
·表面钝化技术 | 第27页 |
·点接触太阳电池技术 | 第27-28页 |
·激光刻槽埋栅技术 | 第28页 |
·多晶硅太阳电池 | 第28-29页 |
·吸杂工艺 | 第28-29页 |
·钝化技术 | 第29页 |
·非晶硅薄膜太阳电池 | 第29-32页 |
·α-Si太阳电池的基本结构 | 第29-30页 |
·α-Si太阳电池的优势 | 第30页 |
·α-Si太阳电池的完美结技术 | 第30-31页 |
·叠层电池技术 | 第31页 |
·新制备技术探索 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-33页 |
第三章 CuInS_2薄膜太阳电池及薄膜制备 | 第33-46页 |
·CuInS_2薄膜太阳电池介绍 | 第33页 |
·CuInS_2材料的性质 | 第33-34页 |
·物理性质 | 第33页 |
·光学性质 | 第33-34页 |
·电学性质 | 第34页 |
·CuInS_2薄膜的制备方法 | 第34-36页 |
·直接溅射法 | 第35页 |
·喷雾热解法 | 第35-36页 |
·溅射预置层硫化法 | 第36页 |
·太阳电池用CuInS_2薄膜的制备 | 第36-38页 |
·基底预处理 | 第36-37页 |
·电沉积装置 | 第37页 |
·沉积反应液的配制 | 第37页 |
·电沉积 | 第37页 |
·退火晶化 | 第37-38页 |
·性能测试 | 第38页 |
·结果及讨论 | 第38-42页 |
·沉积电压 | 第38-40页 |
·反应物浓度 | 第40-41页 |
·退火温度对薄膜的影响 | 第41页 |
·CuInS_2薄膜的光学参数测定 | 第41-42页 |
·总结 | 第42页 |
参考文献 | 第42-46页 |
第四章 染料敏化太阳电池用ZnO纳米棒的制备 | 第46-55页 |
·染料敏化太阳电池介绍 | 第46页 |
·ZnO染料敏化太阳电池 | 第46-48页 |
·纳米结构ZnO的常用制备方法 | 第48-51页 |
·VLS模型下的气相输运法 | 第48-49页 |
·金属有机气相外延生长法(MOVPE) | 第49页 |
·氧化铝模板导向生长法 | 第49-50页 |
·水溶液法 | 第50-51页 |
·染料敏化太阳电池用ZnO纳米棒的制备 | 第51-55页 |
·实验 | 第51页 |
·表征 | 第51-55页 |
第五章 染料敏化太阳电池用ZnO纳米棒阵列研究 | 第55-62页 |
·介绍 | 第55页 |
·ZnO的沉积和HMTA的作用 | 第55-56页 |
·样品的结构及生长过程 | 第56-57页 |
·辅助电场的作用及其对ZnO形貌的影响 | 第57-59页 |
·反应物浓度对ZnO纳米棒形貌的影响 | 第59-60页 |
·总结 | 第60页 |
参考文献 | 第60-62页 |
第六章 基于单根ZnO纳米线的场效应管的光电特性研究 | 第62-69页 |
·实验 | 第62-64页 |
·ZnO纳米线样品制备 | 第62页 |
·表征 | 第62-64页 |
·性能测试及讨论 | 第64-67页 |
·输出特性曲线 | 第64页 |
·转移特性曲线 | 第64-65页 |
·载流子浓度,电子迁移率和电导率 | 第65-66页 |
·幅频特性曲线 | 第66页 |
·光电性能测试 | 第66-67页 |
·总结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第七章 结论和展望 | 第69-71页 |
·结论 | 第69-70页 |
·展望 | 第70-71页 |
攻读硕士期间发表论文 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |