| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-18页 |
| 第一部分 溶液中纳米结构生长的研究 | 第18-77页 |
| 第一章 树枝状银纳米结构生长的介绍 | 第19-34页 |
| ·树枝状银纳米结构生长的实验研究 | 第19-20页 |
| ·树枝状纳米结构的模拟 | 第20-31页 |
| ·随机行走 | 第20-23页 |
| ·Eden模型 | 第23-25页 |
| ·弹道聚集模型 | 第25-26页 |
| ·受限扩散聚集模型 | 第26-29页 |
| ·介电击穿模型 | 第29-31页 |
| ·树枝状纳米结构的理论研究 | 第31-34页 |
| ·空间电荷的计算 | 第31-32页 |
| ·成核生长模型 | 第32-34页 |
| 第二章 溶液中纳米颗粒生长的介绍 | 第34-48页 |
| ·贵金属纳米颗粒的形貌 | 第34-38页 |
| ·单晶的贵金属纳米颗粒合成 | 第34-36页 |
| ·孪晶的贵金属纳米颗粒合成 | 第36-38页 |
| ·贵金属纳米颗粒的成核过程 | 第38页 |
| ·纳米晶体的生长和选择性吸附 | 第38-41页 |
| ·表面活性剂 | 第39页 |
| ·多羟基合成方法 | 第39-41页 |
| ·小分子和原子的吸附 | 第41页 |
| ·各种形貌的贵金属纳米颗粒的应用 | 第41-48页 |
| ·催化性质 | 第41-42页 |
| ·等离子体光学 | 第42-43页 |
| ·表面增强拉曼光谱 | 第43-47页 |
| ·贵金属纳米颗粒的自组装 | 第47-48页 |
| 第三章 表面剂对银树枝状纳米结构生长的影响 | 第48-59页 |
| ·实验简介 | 第49页 |
| ·模拟方法 | 第49-50页 |
| ·结果分析 | 第50-57页 |
| ·偏压的影响 | 第51-53页 |
| ·表面剂的影响 | 第53-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 立方体纳米颗粒的不对称生长:热力学和动力学因素影响的模拟研究 | 第59-75页 |
| ·简介 | 第59-61页 |
| ·模型 | 第61-65页 |
| ·只考虑热力学因素的生长模型 | 第63-64页 |
| ·同时考虑热力学因素和依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的生长模型 | 第64页 |
| ·同时考虑热力学因素和不依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的生长模型 | 第64-65页 |
| ·模拟结果 | 第65-73页 |
| ·只考虑热力学因素影响的纳米立方体的生长 | 第66-68页 |
| ·同时考虑热力学因素和依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的纳米立方体的生长 | 第68-71页 |
| ·同时考虑热力学因素和不依赖于纳米颗粒形貌的动力学因素的纳米立方体的生长 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第五章 第一部分工作总结 | 第75-77页 |
| 第二部分 若干受限半导体体系中自旋弛豫的研究 | 第77-141页 |
| 第一章 半导体自旋电子学介绍 | 第78-92页 |
| ·磁性电阻效应介绍 | 第79-82页 |
| ·自旋器件介绍 | 第82-86页 |
| ·自旋二极管 | 第82-83页 |
| ·自旋场效应管 | 第83-85页 |
| ·量子逻辑门 | 第85-86页 |
| ·自旋极化的产生 | 第86-87页 |
| ·量子点系统 | 第87-92页 |
| ·量子点系统的实验研究 | 第87-91页 |
| ·量子点系统的理论研究 | 第91-92页 |
| 第二章 自旋弛豫和自旋去相位 | 第92-104页 |
| ·系综自旋弛豫和去相位时间 | 第92-94页 |
| ·分立能级系统单自旋的自旋弛豫和去相位 | 第94-104页 |
| ·微扰方法:费米黄金规则方法 | 第94页 |
| ·运动方程方法 | 第94-99页 |
| ·电子自旋去相干机制 | 第99-104页 |
| 第三章 从铁磁金属向二维半导体量子阱的自旋注入 | 第104-112页 |
| ·理论模型 | 第104-106页 |
| ·结果分析 | 第106-111页 |
| ·肖特基结及其对应电场随位置的分布 | 第107-108页 |
| ·低电子密度情况下自旋极化注入情况 | 第108页 |
| ·高电子密度情况下自旋极化注入情况 | 第108-109页 |
| ·玻尔兹曼抽样和费米抽样的比较 | 第109-110页 |
| ·初始极化率变小时的极化注入情况 | 第110-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| 第四章 GaAs双量子点系统的自旋弛豫和去相位的操控 | 第112-127页 |
| ·背景介绍 | 第112页 |
| ·计算方法 | 第112-115页 |
| ·结果分析 | 第115-125页 |
| ·费米黄金规则方法求自旋-轨道耦合与电子-声子相互作用导致的自旋弛豫时间T_1 | 第115-121页 |
| ·运动方程方法求不同机制导致的自旋弛豫时间T_1和自旋去相位时间T_2 | 第121-125页 |
| ·小结 | 第125-127页 |
| 第五章 GaN单量子点中的自旋弛豫 | 第127-139页 |
| ·背景介绍 | 第127-128页 |
| ·模型和理论方法 | 第128-131页 |
| ·哈密顿量 | 第128-129页 |
| ·散射机制 | 第129-130页 |
| ·求自旋弛豫的方法 | 第130-131页 |
| ·解析分析 | 第131-133页 |
| ·数值计算结果 | 第133-138页 |
| ·量子阱宽度对自旋弛豫的影响 | 第133-135页 |
| ·量子点直径对自旋弛豫时间的影响 | 第135页 |
| ·磁场直径对自旋弛豫时间的影响 | 第135-137页 |
| ·度对自旋弛豫时间的影响 | 第137-138页 |
| ·小结 | 第138-139页 |
| 第六章 第二部分工作总结 | 第139-141页 |
| 附录A 系综蒙特-卡洛器件模拟方法简介 | 第141-150页 |
| A.1 单电子蒙特-卡洛方法 | 第141-144页 |
| A.2 系综蒙特-卡洛方法 | 第144页 |
| A.3 蒙特-卡洛器件模拟 | 第144-148页 |
| A.4 考虑自旋的蒙特-卡洛器件模拟 | 第148-150页 |
| 附录B 蒙特-卡洛器件模拟中电子散射率的求法 | 第150-154页 |
| B.1 三维情况 | 第150-151页 |
| B.2 二维情况 | 第151-154页 |
| 参考文献 | 第154-172页 |
| 硕博连读期间发表的论文 | 第172-173页 |
| 致谢 | 第173页 |
