摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-35页 |
·硅基薄膜的物性及研究现状 | 第10-19页 |
·硅薄膜的分类及物性 | 第10-12页 |
·硅锗合金薄膜的物性 | 第12-17页 |
·硅基薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
·硅基太阳电池的原理及研究现状 | 第19-30页 |
·硅太阳电池的原理 | 第19-28页 |
·硅太阳电池的研究现状 | 第28-30页 |
·本论文的主要工作 | 第30-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-35页 |
第二章 硅基薄膜及太阳能电池的制备与表征 | 第35-65页 |
·硅基薄膜材料的制备方法 | 第35-44页 |
·硅基薄膜的物理气相沉积 | 第35-36页 |
·硅基薄膜的化学气相沉积 | 第36-44页 |
·微晶硅基薄膜间接制备法 | 第44页 |
·硅基太阳电池的制备 | 第44-52页 |
·硅基薄膜的物性测试方法 | 第52-61页 |
·X射线衍射(XRD) | 第52-53页 |
·拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第53-54页 |
·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第54-55页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第55页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第55-57页 |
·椭圆偏振法(Spectroscopy Ellipsometry) | 第57-58页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第58-59页 |
·光学透射谱(Optical Transmission Spectroscopy) | 第59-61页 |
·电导率测试方法 | 第61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
第三章 PECVD低温制备微晶硅锗薄膜的研究 | 第65-93页 |
·微晶硅锗薄膜的研究意义 | 第65-66页 |
·制备条件对硅锗薄膜结构与光电性质的影响 | 第66-88页 |
·H_2和Ar在微晶硅锗薄膜制备过程中的作用 | 第88-90页 |
·本章小结 | 第90页 |
参考文献 | 第90-93页 |
第四章 非晶硅太阳电池的制备与评价 | 第93-109页 |
·非晶硅薄膜的制备 | 第93-102页 |
·a-Si太阳电池的制备研究 | 第102-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-109页 |
第五章 总结与展望 | 第109-111页 |
·本论文的主要结论 | 第109-110页 |
·下一步的工作展望 | 第110-111页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第111-112页 |
致谢 | 第112页 |