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基于多波导垂直集成技术和蚀刻衍射光栅的光子集成接收器的研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6页
1 绪论第9-21页
    1.1 引言第9-11页
    1.2 应用于40/100G-BASE LR4的接收器第11-13页
        1.2.1 基于分立元件集成的接收器第11-12页
        1.2.2 基于混合集成的接收器第12页
        1.2.3 InP基单片集成的接收器第12-13页
    1.3 多波导垂直集成技术的发展与现状第13-15页
    1.4 波分复用器件第15-19页
        1.4.1 波分复用器种类第15-17页
        1.4.2 EDG的研究现状与进展第17-19页
    1.5 本论文的主要研究内容和章节安排第19-21页
2 蚀刻衍射光栅第21-31页
    2.1 蚀刻衍射光栅基本原理和重要参数第21-26页
        2.1.1 基本原理与几何结构第21-23页
        2.1.2 EDG的重要结构参数第23-25页
        2.1.3 EDG的主要性能指标第25-26页
    2.2 EDG的设计与仿真第26-31页
        2.2.1 EDG的设计方法第26-28页
        2.2.2 EDG的数值仿真第28-31页
3 基于InP平台面向LR4应用的EDG波分复用器第31-51页
    3.1 基于InP平台的EDG的设计及仿真第31-34页
    3.2 基于InP的EDG制作关键工艺与流程第34-42页
        3.2.1 InP基无源器件关键工艺第34-41页
        3.2.2 InP基EDG制作流程第41-42页
    3.3 基于InP平台的EDG的实验结果第42-45页
    3.4 光谱平坦化设计的EDG第45-51页
        3.4.1 光谱平坦化的方法概述第45-46页
        3.4.2 弧形齿面法设计原理及仿真第46-49页
        3.4.3 实验结果第49-51页
4 基于多波导垂直集成平台的SSC和探测器的设计第51-73页
    4.1 常用的InP基集成技术第51-55页
        4.1.1 量子阱混杂技术第51页
        4.1.2 偏置量子阱技术第51-52页
        4.1.3 端对接技术第52-53页
        4.1.4 选择区域外延第53页
        4.1.5 多波导垂直集成技术第53-55页
    4.2 模斑转换器第55-69页
        4.2.1 模斑转换器的基本理论第56-61页
        4.2.2 SSC设计流程与结果分析第61-69页
    4.3 探测器结构设计与芯片整体工艺流程第69-73页
        4.3.1 探测器结构设计第69-71页
        4.3.2 芯片整体工艺流程第71-73页
5 总结与展望第73-74页
参考文献第74-81页
作者简历第81页

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