| 摘要 | 第1-15页 |
| Abstract | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-45页 |
| ·光子晶体概述 | 第18-22页 |
| ·光子晶体的概念 | 第18页 |
| ·光子晶体的原理及特性 | 第18-21页 |
| ·光子晶体的分类 | 第21-22页 |
| ·光子晶体的制备方法 | 第22-27页 |
| ·一维和二维光子晶体制备方法 | 第22页 |
| ·三维光子晶体制备方法 | 第22-24页 |
| ·opal 与反opal 的制备方法 | 第24-27页 |
| ·光子晶体的理论研究方法 | 第27-29页 |
| ·Si、Ge 反opal 的CVD 法制备研究进展 | 第29-30页 |
| ·Si 反opal 制备研究进展 | 第29页 |
| ·Ge 反opal 制备研究进展 | 第29-30页 |
| ·木堆光子晶体研究进展 | 第30-34页 |
| ·木堆光子晶体的制备方法 | 第30-32页 |
| ·高分子木堆填充技术 | 第32-34页 |
| ·反opal 光子晶体光学性能研究进展 | 第34-36页 |
| ·光子晶体光学性能测试方法 | 第34页 |
| ·Si、Ge 反opal 光子带隙性能研究进展 | 第34-36页 |
| ·三维光子晶体光学性能研究中存在的问题 | 第36页 |
| ·光子晶体研究的发展趋势 | 第36-37页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-45页 |
| 第二章 反opal 和木堆的光学性能理论计算 | 第45-57页 |
| ·光子晶体计算方法及参数 | 第45-46页 |
| ·反opal 的光学性能理论研究 | 第46-51页 |
| ·反opal 的光子带隙能带和反射系数的理论计算 | 第46-48页 |
| ·晶格常数对反opal 光学性能的影响 | 第48页 |
| ·有效折射率对反opal 光学性能的影响 | 第48-50页 |
| ·填充率对反opal 光学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·入射角度对反opal 光学性能的影响 | 第51页 |
| ·木堆光子晶体光子带隙能带理论研究 | 第51-54页 |
| ·木堆结构参数分析 | 第51-52页 |
| ·结构参数对木堆光子带隙能带的影响 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 Ge 反opal 三维光子晶体的CVD 法制备研究 | 第57-91页 |
| ·制备及测试方法 | 第58-61页 |
| ·实验药品和实验设备 | 第58-59页 |
| ·实验方法 | 第59-60页 |
| ·测试与表征 | 第60-61页 |
| ·反opal 填充率的蒙特卡洛法理论模拟计算 | 第61-65页 |
| ·反opal 填充率数值计算的几何结构模型 | 第61-62页 |
| ·填充率几何结构模型的蒙特卡洛法求解 | 第62-63页 |
| ·填充率的蒙特卡洛法模拟结果 | 第63-65页 |
| ·不同晶格常数的opal 模板的制备 | 第65-67页 |
| ·LPCVD 法填充Ge 制备Ge 反opal 研究 | 第67-74页 |
| ·LPCVD 法填充Ge 机理介绍 | 第67-68页 |
| ·反应温度的影响 | 第68-70页 |
| ·反应气压的影响 | 第70-71页 |
| ·气体流量的影响 | 第71-73页 |
| ·LPCVD 法制备的Ge 反opal 的晶体形态 | 第73-74页 |
| ·高温PECVD 法填充Ge 制备Ge 反opal 研究 | 第74-80页 |
| ·PECVD 法填充Ge 机理介绍 | 第74-75页 |
| ·反应气压的影响 | 第75-76页 |
| ·射频功率的影响 | 第76-79页 |
| ·高温PECVD 法制备的Ge 反opal 的晶体形态 | 第79-80页 |
| ·低温PECVD 法填充Ge 制备Ge 反opal 研究 | 第80-85页 |
| ·低温PECVD 法填充Ge 的优势与可行性 | 第80页 |
| ·射频功率的影响 | 第80页 |
| ·反应温度的影响 | 第80-82页 |
| ·气体流量和反应时间的影响 | 第82-85页 |
| ·低温PECVD 法制备的Ge 反opal 的晶体形态 | 第85页 |
| ·室温PECVD 法沉积Ge 研究 | 第85-87页 |
| ·室温沉积Ge 的意义 | 第85页 |
| ·射频功率的影响 | 第85-87页 |
| ·室温PECVD 法制备的Ge 膜的晶体形态 | 第87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 Ge 反opal 光子晶体薄膜的反射光学性能研究 | 第91-110页 |
| ·光学性能测试方法及测试仪器 | 第91-92页 |
| ·Ge 的折射率测定 | 第92页 |
| ·晶格常数a 对Ge 反opal 反射性能的影响 | 第92-98页 |
| ·不同a 的Ge 反opal 的结构参数 | 第92-94页 |
| ·a 对光子带隙中心波长的影响 | 第94-96页 |
| ·a 对带隙反射峰半峰宽的影响 | 第96-98页 |
| ·填充率ff 对Ge 反opal 反射光学性能的影响 | 第98-104页 |
| ·不同ff 的Ge 反opal 的结构参数 | 第98-100页 |
| ·ff 对光子带隙中心波长的影响 | 第100-102页 |
| ·ff 对带隙反射峰半峰宽的影响 | 第102-103页 |
| ·ff 对带隙中心波长反射率的影响 | 第103-104页 |
| ·Ge 反opal 的变入射角反射光谱研究 | 第104-107页 |
| ·Ge 反opal 的变入射角反射光谱 | 第105页 |
| ·Ge 反opal 的带隙性能随入射角的变化规律 | 第105-107页 |
| ·小结 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第五章 Ge 反opal 光子晶体薄膜的透射光学性能研究 | 第110-123页 |
| ·Ge 反opal 禁带和通带的透射光学性能 | 第110-112页 |
| ·Ge 反opal 透射率的影响因素 | 第112-117页 |
| ·吸收损失 | 第112-113页 |
| ·散射损失 | 第113-115页 |
| ·反射损失 | 第115-117页 |
| ·增透膜对Ge 反opal 透射性能的影响 | 第117-120页 |
| ·单面镀增透膜的影响 | 第118-119页 |
| ·双面镀增透膜的影响 | 第119-120页 |
| ·小结 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-123页 |
| 第六章 高分子-Ge 复合木堆的PECVD 法制备研究 | 第123-134页 |
| ·制备及测试方法 | 第123-125页 |
| ·实验药品与实验设备 | 第123-124页 |
| ·两层木堆的制备方法 | 第124-125页 |
| ·测试与表征 | 第125页 |
| ·SU-8-Ge 复合木堆的低温PECVD 法制备研究 | 第125-127页 |
| ·SU-8 两层木堆的制备 | 第125-126页 |
| ·SU-8 两层木堆耐受温度研究 | 第126-127页 |
| ·SU-8-Ge 复合木堆的低温PECVD 法制备 | 第127页 |
| ·PS-Ge 复合木堆的室温PECVD 法制备研究 | 第127-131页 |
| ·PS 两层木堆的制备 | 第127-129页 |
| ·PS-Ge 复合木堆的室温PECVD 法制备 | 第129页 |
| ·Ge 空心木条有序阵列的制备 | 第129-130页 |
| ·Ge 空心木条的成分和晶态分析 | 第130-131页 |
| ·小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-134页 |
| 第七章 结论与展望 | 第134-138页 |
| ·结论 | 第134-137页 |
| ·研究展望 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第140-141页 |
| 附录 蒙特卡洛法计算填充率的C 语言源代码 | 第141-143页 |
