| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 微纳加工的主要方法及研究现状 | 第13-21页 |
| 1.1.1 光刻技术 | 第14-15页 |
| 1.1.2 电子束曝光 | 第15页 |
| 1.1.3 聚焦离子束 | 第15-16页 |
| 1.1.4 纳米压印 | 第16-17页 |
| 1.1.5 激光直写 | 第17-19页 |
| 1.1.6 薄膜技术 | 第19页 |
| 1.1.7 自组装加工 | 第19-21页 |
| 1.2 亚波长结构的电学性质 | 第21-22页 |
| 1.2.1 电学性质 | 第22页 |
| 1.3 亚波长结构的光学性质 | 第22-24页 |
| 1.3.1 超材料 | 第22-23页 |
| 1.3.2 超表面 | 第23页 |
| 1.3.3 光子晶体 | 第23页 |
| 1.3.4 表面等离激元 | 第23-24页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 样品的制备、处理以及测试 | 第29-57页 |
| 2.1 实验前期准备 | 第29页 |
| 2.2 激光直写制备亚波长结构 | 第29-39页 |
| 2.2.1 激光制备亚波长结构的基本流程 | 第32-33页 |
| 2.2.2 高分辨激光直写的方法 | 第33-36页 |
| 2.2.3 激光直写制备微纳图形的原理 | 第36-39页 |
| 2.3 薄膜生长制备亚波长结构 | 第39-42页 |
| 2.3.1 磁控溅射 | 第39-40页 |
| 2.3.2 电子束蒸发沉积 | 第40页 |
| 2.3.3 化学气相沉积 | 第40-41页 |
| 2.3.4 分子束外延 | 第41-42页 |
| 2.3.5 脉冲激光沉积 | 第42页 |
| 2.4 自组装法制备亚波长结构 | 第42-45页 |
| 2.4.1 纳米球自组装的物理机制 | 第44-45页 |
| 2.5 主要表征手段 | 第45-51页 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜 | 第46-47页 |
| 2.5.2 阴极射线致发光 | 第47页 |
| 2.5.3 透射电子显微镜 | 第47-49页 |
| 2.5.4 X射线能量分散谱 | 第49页 |
| 2.5.5 X射线光电子能谱 | 第49-50页 |
| 2.5.6 原子力显微镜 | 第50页 |
| 2.5.7 光致发光 | 第50-51页 |
| 2.5.8 电学测试 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 第三章 亚波长Si_3N_4/SiO_2周期性结构对黑磷发光特性的影响 | 第57-72页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 亚波长周期性结构对光的调制作用 | 第58-62页 |
| 3.3 黑磷的起源、制备及表征 | 第62-65页 |
| 3.3.1 黑磷的起源 | 第62-63页 |
| 3.3.2 黑磷的制备 | 第63-64页 |
| 3.3.3 黑磷性质的表征 | 第64-65页 |
| 3.4 亚波长SI_3N_4/SIO_2周期性结构的制备及其对黑磷发光的影响 | 第65-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 周期性亚波长硅纳米柱对掺铒氧化镓发光特性影响 | 第72-91页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 周期性亚波长硅纳米柱对掺铒氧化镓发光特性影响 | 第73-77页 |
| 4.3 自组装技术制备周期性硅纳米柱 | 第77-80页 |
| 4.4 掺铒氧化镓的制备以及其光学特性的表征 | 第80-85页 |
| 4.4.1 掺铒氧化镓的制备及测试 | 第81页 |
| 4.4.2 掺铒氧化镓结构与性质的表征 | 第81-85页 |
| 4.5 周期性亚波长硅纳米柱对掺铒氧化镓发光特性影响 | 第85-86页 |
| 4.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第五章 亚波长结构对表面等离激元共振的影响 | 第91-115页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 纳米图形的制备 | 第92-106页 |
| 5.2.1 利用相变材料制备亚波长结构的机理 | 第93-96页 |
| 5.2.2 利用相变材料GSBT制备亚波长结构 | 第96-103页 |
| 5.2.3 利用相变材料GST制备亚波长结构 | 第103-106页 |
| 5.3 量子点材料发光材料 | 第106-108页 |
| 5.4 AU亚波长结构对表面等离激元共振的影响 | 第108-110页 |
| 5.4.1 表面等离激元共振的机理 | 第108-109页 |
| 5.4.2 表面等离激元结构及其对InGaAs量子点光致发光的影响 | 第109-110页 |
| 5.5 本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 第六章 亚十纳米结构电学特性研究 | 第115-134页 |
| 6.1 引言 | 第115-116页 |
| 6.2 亚十纳米结构的制备 | 第116-127页 |
| 6.2.1 金属钛制备纳米结构的机理 | 第116-119页 |
| 6.2.2 超衍射纳米图形的制备及表征 | 第119-127页 |
| 6.3 亚十纳米结构的电学性质 | 第127-130页 |
| 6.3.1 狭缝电极的制备 | 第128-129页 |
| 6.3.2 狭缝电极的电学特性 | 第129-130页 |
| 6.4 本章小结 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-134页 |
| 总结与展望 | 第134-136页 |
| 论文总结 | 第134-135页 |
| 展望 | 第135-136页 |
| 在学期间研究成果 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
