| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 存储器概述 | 第10页 |
| 1.2 新型存储器发展概况 | 第10-12页 |
| 1.3 相变存储器概述 | 第12-14页 |
| 1.3.1 相变存储器发展概况 | 第12-13页 |
| 1.3.2 相变存储器特性 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文研究目的与内容结构 | 第14-16页 |
| 2 相变存储阵列的测试方法 | 第16-21页 |
| 2.1 相变单元结构介绍 | 第16-17页 |
| 2.2 相变存储单元的测试 | 第17-19页 |
| 2.2.1 直流I-V特性测试 | 第17-18页 |
| 2.2.2 相变单元的数据保持特性 | 第18页 |
| 2.2.3 相变单元的擦写寿命 | 第18-19页 |
| 2.3 相变存储阵列结构与测试方法介绍 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 3 相变存储阵列预读写电路设计 | 第21-41页 |
| 3.1 预读写电路结构 | 第21-22页 |
| 3.2 各个模块主要功能分析 | 第22-25页 |
| 3.3 预读写电路硬件模块设计 | 第25-33页 |
| 3.3.0 硬件EDA工具AltiumDesigner介绍 | 第25页 |
| 3.3.1 预读写电路主控电路 | 第25-28页 |
| 3.3.2 基于Ateml-mega48P的下位机控制模块 | 第28-33页 |
| 3.4 预读写电路软件模块设计 | 第33-38页 |
| 3.4.1 Stm32主控电路程序设计 | 第35-37页 |
| 3.4.2 下位机Ateml-mega48P程序设计 | 第37-38页 |
| 3.5 半导体分析仪模块 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 相变存储阵列预读写方案验证分析 | 第41-49页 |
| 4.1 预读写电路功能测试 | 第41-44页 |
| 4.2 相变存储阵列功耗分析 | 第44-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 攻读硕士学位期间申请专利目录 | 第58页 |
