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一维纳米材料的结构设计和可控制备

创新之处第6-7页
中文摘要第7-9页
英文摘要第9-11页
第一章 绪论第11-48页
    1.1 一维纳米材料的生长方法概述第12-13页
    1.2 颗粒催化生长机理第13-26页
        1.2.1 气-液-固(VLS)生长第14-23页
            Ⅰ. 生长模型第14页
            Ⅱ. VLS生长的热力学与动力学研究第14-18页
            Ⅲ. 相平衡主导的气液固生长机理第18-19页
            Ⅳ. VLS生长方法的应用第19-23页
        1.2.2 溶液-固-固(SSS)生长第23-26页
            Ⅰ. 生长模型第23-24页
            Ⅱ. 催化机理第24-25页
            Ⅲ. 可控制备第25-26页
    1.3 外延生长机理第26-30页
        1.3.1 ZnO纳米环第27-28页
        1.3.2 AlN纳米项链第28-29页
        1.3.3 CrSi_2纳米六方网络第29-30页
    1.4 螺旋位错生长机理第30-32页
    1.5 一维纳米材料的光电性能第32-38页
        1.5.1 一维纳米线的场电子发射特性第32-35页
        1.5.2 一维纳米材料的光学特性第35-38页
    1.6 本论文的研究思路第38-39页
    参考文献第39-48页
第二章 相平衡主导的气-液-固生长机理:预言及证据第48-71页
    2.0 概述第48-49页
    2.1 根据相图预言AlN纳米线的生长第49-50页
    2.2 实验部分第50-52页
    2.3 定量化实验证据第52-60页
        2.3.1 二次生长的实验证据第52-53页
        2.3.2 共存Al-Ni固相组成的演变规律第53-56页
        2.3.3 AlN纳米线产量的演变规律第56-60页
    2.4 预言Si_3N_4纳米线的生长第60-64页
    2.5 相平衡主导的气液固生长机理的适用条件第64-68页
    2.6 本章小结第68页
    参考文献第68-71页
第三章 三元ZnCdS纳米线的超离子导体介导生长第71-89页
    3.1 实验部分第72-74页
    3.2 结果和讨论第74-85页
        3.2.1 Ag_2S纳米颗粒的制备与表征第74-75页
        3.2.2 Ag_2S-ZnS纳米线的长度控制第75-77页
        3.2.3 Zn_xCd_(1-x)S纳米线的成分调控第77-81页
        3.2.4 生长时间和温度对Zn_xCd_(1-x)S纳米线组成的影响第81-84页
        3.2.5 光学性质测试第84-85页
    3.3 本章小结第85-86页
    参考文献第86-89页
第四章 极性面诱导的CrSi_2纳米结构的自组装第89-103页
    4.1 实验部分第90-91页
    4.2 结果与讨论第91-100页
        4.2.1 三种不同的CrSi_2纳米结构第91-96页
        4.2.2 形成机理第96-99页
        4.2.3 场发射性能表征第99-100页
    4.3 本章小结第100页
    参考文献第100-103页
展望第103-104页
攻博期间概况第104-106页
致谢第106-107页

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