创新之处 | 第6-7页 |
中文摘要 | 第7-9页 |
英文摘要 | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-48页 |
1.1 一维纳米材料的生长方法概述 | 第12-13页 |
1.2 颗粒催化生长机理 | 第13-26页 |
1.2.1 气-液-固(VLS)生长 | 第14-23页 |
Ⅰ. 生长模型 | 第14页 |
Ⅱ. VLS生长的热力学与动力学研究 | 第14-18页 |
Ⅲ. 相平衡主导的气液固生长机理 | 第18-19页 |
Ⅳ. VLS生长方法的应用 | 第19-23页 |
1.2.2 溶液-固-固(SSS)生长 | 第23-26页 |
Ⅰ. 生长模型 | 第23-24页 |
Ⅱ. 催化机理 | 第24-25页 |
Ⅲ. 可控制备 | 第25-26页 |
1.3 外延生长机理 | 第26-30页 |
1.3.1 ZnO纳米环 | 第27-28页 |
1.3.2 AlN纳米项链 | 第28-29页 |
1.3.3 CrSi_2纳米六方网络 | 第29-30页 |
1.4 螺旋位错生长机理 | 第30-32页 |
1.5 一维纳米材料的光电性能 | 第32-38页 |
1.5.1 一维纳米线的场电子发射特性 | 第32-35页 |
1.5.2 一维纳米材料的光学特性 | 第35-38页 |
1.6 本论文的研究思路 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-48页 |
第二章 相平衡主导的气-液-固生长机理:预言及证据 | 第48-71页 |
2.0 概述 | 第48-49页 |
2.1 根据相图预言AlN纳米线的生长 | 第49-50页 |
2.2 实验部分 | 第50-52页 |
2.3 定量化实验证据 | 第52-60页 |
2.3.1 二次生长的实验证据 | 第52-53页 |
2.3.2 共存Al-Ni固相组成的演变规律 | 第53-56页 |
2.3.3 AlN纳米线产量的演变规律 | 第56-60页 |
2.4 预言Si_3N_4纳米线的生长 | 第60-64页 |
2.5 相平衡主导的气液固生长机理的适用条件 | 第64-68页 |
2.6 本章小结 | 第68页 |
参考文献 | 第68-71页 |
第三章 三元ZnCdS纳米线的超离子导体介导生长 | 第71-89页 |
3.1 实验部分 | 第72-74页 |
3.2 结果和讨论 | 第74-85页 |
3.2.1 Ag_2S纳米颗粒的制备与表征 | 第74-75页 |
3.2.2 Ag_2S-ZnS纳米线的长度控制 | 第75-77页 |
3.2.3 Zn_xCd_(1-x)S纳米线的成分调控 | 第77-81页 |
3.2.4 生长时间和温度对Zn_xCd_(1-x)S纳米线组成的影响 | 第81-84页 |
3.2.5 光学性质测试 | 第84-85页 |
3.3 本章小结 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-89页 |
第四章 极性面诱导的CrSi_2纳米结构的自组装 | 第89-103页 |
4.1 实验部分 | 第90-91页 |
4.2 结果与讨论 | 第91-100页 |
4.2.1 三种不同的CrSi_2纳米结构 | 第91-96页 |
4.2.2 形成机理 | 第96-99页 |
4.2.3 场发射性能表征 | 第99-100页 |
4.3 本章小结 | 第100页 |
参考文献 | 第100-103页 |
展望 | 第103-104页 |
攻博期间概况 | 第104-106页 |
致谢 | 第106-107页 |