| 摘要 | 第10-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| 1.1 引言 | 第13-18页 |
| 1.1.1 二维层状材料概述 | 第13-14页 |
| 1.1.2 典型二维材料的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2 化学计量比为1:1的Ⅳ-Ⅴ主族二维层状化合物 | 第18-24页 |
| 1.2.1 化学计量比为1:1的Ⅳ-Ⅴ主族二维层状化合物的结构 | 第18-20页 |
| 1.2.2 化学计量比为1:1二维层状化合物的研究现状 | 第20-24页 |
| 1.3 本文计算所用到的理论 | 第24-31页 |
| 1.3.1 密度泛函理论 | 第24-29页 |
| 1.3.2 声子理论 | 第29-31页 |
| 1.4 本论文的研究意义、目的和内容 | 第31-33页 |
| 1.4.1 本论文研究的目的和意义 | 第31-32页 |
| 1.4.2 本论文主要内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-40页 |
| 第二章 Si_xGe_(1-x)P的能带结构研究 | 第40-51页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 计算方法和计算细节 | 第40-41页 |
| 2.3 计算结果讨论 | 第41-47页 |
| 2.3.1 几何结构优化 | 第41-42页 |
| 2.3.2 掺杂体系的电子结构 | 第42-45页 |
| 2.3.3 掺杂体系的成键分析 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 Si_xGe_(1-x)P的声子谱结构 | 第51-57页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 计算方法和计算细节 | 第51-52页 |
| 3.3 计算结果讨论 | 第52-54页 |
| 3.3.1 声子谱 | 第52-53页 |
| 3.3.2 拉曼峰对比 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 Si_xGe_(1-x)P的电输运性质计算 | 第57-63页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 计算方法 | 第57-59页 |
| 4.2.1 长声学波形变势理论 | 第57-58页 |
| 4.2.2 计算具体参数 | 第58-59页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第59-61页 |
| 4.3.1 形变势常数的计算 | 第59-60页 |
| 4.3.2 电输运分析 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 主要结论 | 第63-64页 |
| 5.2 有待开展的工作 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 附表 | 第68-75页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第75页 |
