| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 纳米材料特性及应用 | 第16-17页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第16页 |
| 1.2.2 小尺寸效应 | 第16-17页 |
| 1.2.3 表面效应 | 第17页 |
| 1.2.4 宏观量子隧道效应 | 第17页 |
| 1.2.5 库仑阻塞效应 | 第17页 |
| 1.3 一维纳米器件研究进展 | 第17-27页 |
| 1.3.1 纳米光电探测器领域 | 第18-21页 |
| 1.3.2 纳米存储器领域 | 第21-24页 |
| 1.3.3 纳米发光二极管领域 | 第24-26页 |
| 1.3.4 逻辑门与计算电路领域 | 第26-27页 |
| 1.4 本课题的选题背景及研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 KCu_7S_4纳米带的合成及其表征 | 第28-36页 |
| 2.1 引言 | 第28-30页 |
| 2.2 实验中所需药品和仪器清单 | 第30-31页 |
| 2.3 KCu_7S_4纳米带的合成 | 第31-32页 |
| 2.4 KCu_7S_4准一维纳米结构的物相与形貌表征 | 第32-35页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)图谱分析 | 第32页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第32-33页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第33-34页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第34页 |
| 2.4.5 紫外-可见光-近红外(UV)吸收光谱分析 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 KCu_7S_4/Si自驱动近红外光电探测器的研究 | 第36-51页 |
| 3.1 引言 | 第36-38页 |
| 3.2 纳米器件的制备 | 第38-41页 |
| 3.2.1 实验药品和仪器 | 第38页 |
| 3.2.2 器件制备过程 | 第38-41页 |
| 3.3 基于KCu_7S_4纳米带/Si异质结的自驱动近红外光电探测器研究 | 第41-50页 |
| 3.3.1 KCu_7S_4单层膜的密度对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 Si/KCu_7S_4近红外光电探测器性能研究 | 第43-49页 |
| 3.3.3 理论分析 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 KCu_7S_4/Cu_xO/Au阻变式存储器的研究 | 第51-63页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 纳米器件的制备 | 第51-54页 |
| 4.2.1 实验药品和仪器 | 第51-52页 |
| 4.2.2 器件制备过程 | 第52-54页 |
| 4.3 基于KCu_7S_4纳米带/Cu_xO/Au存储器件特性的研究 | 第54-61页 |
| 4.3.1 Cu_xO层的表征和分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 KCu_7S_4/Cu_xO/Au存储器性能的研究 | 第55-60页 |
| 4.3.3 KCu_7S_4/Cu_xO/Au存储器机理的研究 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-73页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第73-74页 |
