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基于第一性原理方法的ABO3和HfO2铁电畴壁迁移研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-20页
    1.1 铁电薄膜和存储器简介第9-15页
        1.1.1 铁电薄膜材料的研究进展第9-12页
        1.1.2 铁电存储器简介第12-15页
    1.2 铁电性能和畴壁演化的关联第15-16页
        1.2.1 传统存储器中铁电性能和畴壁演化的关联第15-16页
        1.2.2 新型畴壁存储器中铁电性能和畴壁演化的关联第16页
    1.3 铁电畴壁及其演化的研究现状第16-18页
    1.4 选题依据和研究内容第18-20页
        1.4.1 选题依据第18-19页
        1.4.2 本文研究内容第19-20页
第2章 密度泛函理论和研究方法简述第20-26页
    2.1 密度泛函理论(DFT)简介第20-23页
        2.1.1 绝热近似第21页
        2.1.2 Hartre-Fock单电子近似第21-22页
        2.1.3 Hohenberg-Kohn定理:多体理论第22页
        2.1.4 Kohn-Sham方程:有效单体理论第22-23页
    2.2 交换关联泛函第23-24页
        2.2.1 局域密度近似(LDA)第23页
        2.2.2 广义梯度近似(GGA)第23-24页
    2.3 过渡态理论(NEB)和现代极化理论简介第24页
    2.4 第一性原理计算软件(VASP)第24-26页
第3章 简单钙钛矿材料畴壁演化的研究第26-47页
    3.1 简单钙钛矿材料畴壁结构的研究第26-32页
    3.2 简单钙钛矿材料畴壁演化的研究第32-38页
        3.2.1 对180°畴壁演化的研究第32-37页
        3.2.2 对90°畴壁演化的研究第37-38页
    3.3 材料中氧缺陷和畴壁耦合作用的研究第38-41页
    3.4 畴壁结构和畴壁演化的应力(应变)效应的研究第41-45页
        3.4.1 应变对畴壁能(DWE)的影响第41-44页
        3.4.2 应变对畴壁迁移的影响第44-45页
    3.5 本章小结第45-47页
第4章 铁电材料氧化铪畴壁演化的研究第47-67页
    4.1 氧化铪晶体结构及各相稳定性的研究第47-49页
    4.2 氧化铪铁电相极化和翻转的研究第49-53页
    4.3 氧化铪铁电相的应变和掺杂调控第53-58页
        4.3.1 氧化铪相稳定性的应变效应第53-56页
        4.3.2 Zr掺杂氧化铪相稳定性及其应变效应第56-58页
    4.4 氧化铪畴壁结构及畴壁的演化第58-65页
        4.4.1 沿a轴方向的180°畴壁及其演化第58-62页
        4.4.2 沿b轴方向的180°畴壁及其演化第62-65页
    4.5 本章小结第65-67页
第5章 总结与展望第67-69页
    5.1 工作总结第67-68页
    5.2 研究展望第68-69页
参考文献第69-74页
致谢第74-75页
个人简历、攻读硕士学位期间发表的论文第75页

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