| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 课题的研究意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 结温获取方法国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 状态评估方法国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第14-17页 |
| 第二章 IGBT模块的结构与失效机理 | 第17-27页 |
| 2.1 IGBT的结构及其工作原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 IGBT的结构 | 第17页 |
| 2.1.2 IGBT的工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.3 IGBT的工作特性 | 第18-20页 |
| 2.2 IGBT模块的结构 | 第20-21页 |
| 2.3 IGBT模块的失效机理 | 第21-24页 |
| 2.3.1 与封装相关的失效 | 第22-23页 |
| 2.3.2 与芯片相关的失效 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-27页 |
| 第三章 基于电-热耦合模型的IGBT结温计算方法 | 第27-39页 |
| 3.1 IGBT模块的功率损耗 | 第27-30页 |
| 3.1.1 IGBT开关周期内平均功率损耗 | 第28-30页 |
| 3.1.2 FWD开关周期内平均功率损耗 | 第30页 |
| 3.2 IGBT模块的等效热网络 | 第30-32页 |
| 3.3 IGBT模块的结温计算 | 第32-37页 |
| 3.3.1 电-热耦合模型 | 第32-34页 |
| 3.3.2 仿真分析 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 IGBT模块的老化状态评估 | 第39-47页 |
| 4.1 IGBT模块加速老化试验 | 第39-43页 |
| 4.1.1 IGBT模块的失效标准 | 第39页 |
| 4.1.2 IGBT模块加速老化试验原理 | 第39-41页 |
| 4.1.3 测试IGBT模块 | 第41页 |
| 4.1.4 ?Tc功率循环加速老化试验方法 | 第41-43页 |
| 4.2 IGBT模块的老化状态评估 | 第43-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 考虑IGBT模块老化状态的电-热耦合模型 | 第47-59页 |
| 5.1 老化进程中IGBT模块的电热参数 | 第47-51页 |
| 5.2 模块老化对IGBT结温计算的影响 | 第51-57页 |
| 5.2.1 不同功率循环次数下的电-热耦合模型 | 第51-52页 |
| 5.2.2 老化进程中不同电热参数的改变对结温计算影响 | 第52-53页 |
| 5.2.3 老化进程中IGBT结温计算误差分析 | 第53-55页 |
| 5.2.4 不同工况下老化进程中IGBT结温计算误差分析 | 第55-57页 |
| 5.3 考虑模块老化状态的电-热耦合结温计算模型 | 第57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 6.1 结论 | 第59-60页 |
| 6.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |