| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 概述 | 第16页 |
| 1.2 Ga_2O_3 材料的性质 | 第16-17页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3 的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 电学性质与光学性质 | 第17页 |
| 1.3 材料应用与研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本文的研究工作 | 第19-22页 |
| 第二章 理论与实验研究方法介绍 | 第22-28页 |
| 2.1 理论研究方法 | 第22-23页 |
| 2.1.1 CASTEP模块 | 第22页 |
| 2.1.2 SRIM程序 | 第22-23页 |
| 2.2 实验研究方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 离子注入实验 | 第23页 |
| 2.2.2 薄膜表征技术手段 | 第23-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 Al掺杂Ga_2O_3 结合本征缺陷的理论分析 | 第28-40页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算细节 | 第29-30页 |
| 3.3 结果分析 | 第30-39页 |
| 3.3.1 原子结构与形成能 | 第30-33页 |
| 3.3.2 电学特性 | 第33-36页 |
| 3.3.3 光学特性 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 Mg离子注入Ga_2O_3 的测试分析 | 第40-54页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 理论研究 | 第40-41页 |
| 4.3 实验方案 | 第41-44页 |
| 4.3.1 离子注入能量剂量设计 | 第42-43页 |
| 4.3.2 实验过程 | 第43-44页 |
| 4.4 结果讨论 | 第44-51页 |
| 4.4.1 结构和成分测试分析 | 第44-47页 |
| 4.4.2 表面形貌观测 | 第47-48页 |
| 4.4.3 电学性质分析 | 第48-49页 |
| 4.4.4 光学性质分析 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 N离子注入Ga_2O_3 的测试分析 | 第54-66页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 理论研究 | 第54-55页 |
| 5.3 实验方案 | 第55-57页 |
| 5.3.1 离子注入能量剂量设计 | 第55-56页 |
| 5.3.2 实验过程 | 第56-57页 |
| 5.4 结果讨论 | 第57-64页 |
| 5.4.1 结构和成分测试分析 | 第57-60页 |
| 5.4.2 表面形貌观测 | 第60-61页 |
| 5.4.3 电学性质分析 | 第61-63页 |
| 5.4.4 光学性质分析 | 第63-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |