| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.1.1 有机电子学概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 有机半导体存储器的概述 | 第10-11页 |
| 1.2 本论文的研究背景和研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器 | 第13-29页 |
| 2.1 有机场效应晶体管存储器的基本介绍 | 第13-26页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管存储器基本器件结构及原理 | 第13-15页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管存储器性能的主要参数 | 第15-17页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管存储器主要制备材料 | 第17-20页 |
| 2.1.4 有机场效应晶体管存储器的种类及研究进展 | 第20-26页 |
| 2.2 基于浮栅型有机场效应晶体管存储器的制备与表征方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 器件的制备与表征 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于CsPbCl_3量子点的光敏浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第29-34页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 基于CsPbCl_3量子点的光敏浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第29-33页 |
| 3.2.1 器件的制备与表征 | 第29-30页 |
| 3.2.2 光敏器件的存储性能 | 第30-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 基于PbS量子点的光敏浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第34-42页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 基于PbS量子点的光敏浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第34-40页 |
| 4.2.1 器件的制备与表征 | 第34-36页 |
| 4.2.2 器件基础晶体管性能表征 | 第36-37页 |
| 4.2.3 器件存储性能表征 | 第37-38页 |
| 4.2.4 光调控的相关实验分析 | 第38-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 基于PS/PVK掺杂的浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第42-50页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 基于PS/PVK浮栅型有机场效应晶体管存储器器件结构比较 | 第42-48页 |
| 5.2.1 器件的制备与表征 | 第42-43页 |
| 5.2.2 器件表面形貌分析 | 第43-44页 |
| 5.2.3 场效应晶体管性能以及存储性能研究 | 第44-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第55-56页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第56-57页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
