| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第16页 |
| 1.2 共线磁序与非共线磁序 | 第16-17页 |
| 1.3 共线磁序下的自旋电子输运 | 第17-19页 |
| 1.3.1 基于石墨烯纳米带的自旋电子输运 | 第17-18页 |
| 1.3.2 铁/氧化镁/铁磁隧道结的自旋电子输运 | 第18-19页 |
| 1.4 非共线磁序下的自旋电子输运 | 第19-21页 |
| 1.4.1 自旋场效应晶体管 | 第19页 |
| 1.4.2 铁/砷化镓/金隧道结的各向异性磁阻 | 第19-20页 |
| 1.4.3 自旋矩效应 | 第20-21页 |
| 1.4.4 铁/氧化镁/氧化镍/铁磁隧道结的负磁阻 | 第21页 |
| 1.5 本论文开展的研究工作 | 第21-26页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第26-40页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 紧束缚方法 | 第26-27页 |
| 2.3 密度泛函/非平衡格林函数方法 | 第27-33页 |
| 2.3.1 基于数值原子轨道的哈密顿量 | 第27-29页 |
| 2.3.2 共线磁序的密度泛函/非平衡格林函数方法 | 第29-31页 |
| 2.3.3 非共线磁序的密度泛函/非平衡格林函数方法 | 第31-33页 |
| 2.4 OpenMX程序计算电子输运的流程与几个示例 | 第33-40页 |
| 2.4.1 氢原子链的电子输运 | 第34-35页 |
| 2.4.2 金原子链的电子输运 | 第35-36页 |
| 2.4.3 Bi_2Se_3薄膜的电子输运 | 第36-37页 |
| 2.4.4 Ni原子链在非共线磁序下的电子输运 | 第37-40页 |
| 第三章 基于石墨烯纳米带的磁畴壁的自旋电子输运性质… | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 计算方法与结构模型 | 第40-44页 |
| 3.3 Nedge=5的磁畴壁 | 第44-48页 |
| 3.4 Nedge=9的磁畴壁 | 第48-50页 |
| 3.5 小结 | 第50-52页 |
| 第四章 石墨烯/氮化硼/石墨烯纳米带的磁隧道结的磁化分布与自旋电子输运性质 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 计算方法与结构模型 | 第53-56页 |
| 4.3 C/BN/C磁隧道结在共线磁序下的磁化分布 | 第56-59页 |
| 4.4 C/BN/C磁隧道结的共线磁序电子输运 | 第59-63页 |
| 4.5 非共线磁序效应 | 第63-64页 |
| 4.6 小结 | 第64-66页 |
| 第五章 Fe/NiO/Fe与Fe/MgO/NiO/Fe磁隧道结的隧穿磁阻 | 第66-88页 |
| 5.1 引言 | 第66-67页 |
| 5.2 Fe/MgO/Fe磁隧道结 | 第67-72页 |
| 5.3 Fe/NiO/Fe磁隧道结 | 第72-78页 |
| 5.4 Fe/MgO/NiO/Fe磁隧道结 | 第78-87页 |
| 5.5 小结 | 第87-88页 |
| 第六章 总结与展望 | 第88-92页 |
| 6.1 工作总结 | 第88-90页 |
| 6.2 工作展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读博士学位期间承担的研究课题及获奖情况 | 第100-101页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文及学术交流情况 | 第101页 |
