| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 导论 | 第12-47页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第12-14页 |
| 1.2 半导体纳米结构介电性能研究进展 | 第14-36页 |
| 1.3 本论文研究的目的和内容 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-47页 |
| 第二章 基本理论 | 第47-59页 |
| 2.1 引言 | 第47页 |
| 2.2 键驰豫理论方法 | 第47-51页 |
| 2.3 半导体材料的光学吸收与带间跃迁 | 第51-54页 |
| 2.4 Kramers-Kronig关系 | 第54-57页 |
| 2.5 本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 锥形ZnO纳米线介电常数的尺寸与表面梯度效应 | 第59-76页 |
| 3.1 引言 | 第59-63页 |
| 3.2 锥形纳米线表面梯度模型 | 第63-65页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第65-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 第四章 纳米多孔硅介电常数的几何参数效应 | 第76-104页 |
| 4.1 引言 | 第76-82页 |
| 4.2 纳米多孔硅几何参数模型 | 第82-91页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第91-98页 |
| 4.4 本章小结 | 第98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 第五章 总结与展望 | 第104-107页 |
| 5.1 总结 | 第104-105页 |
| 5.2 展望 | 第105-107页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及获奖情况 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |