| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 有机场效应晶体管概况 | 第8-17页 |
| 1.1.1 有机电子学 | 第8-9页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的制备的材料 | 第9-15页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的制备过程 | 第15-17页 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器简介 | 第17-27页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器基本结构和参数 | 第17-19页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管存储器分类和发展现状 | 第19-25页 |
| 1.2.3 本论文的研究背景和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 基于多环芳烃材料的单组分晶体管存储器研究 | 第27-37页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 以OFET存储器性能筛选单层半导体材料 | 第27-36页 |
| 2.2.1 器件制备和表征 | 第27-29页 |
| 2.2.2 有机场效应晶体管存储器及存储特性研究 | 第29-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 分子添加剂对场效应晶体管存储器的性能的影响研究 | 第37-50页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 研究分子添加剂对多环芳烃半导体存储器件性能的影响 | 第37-49页 |
| 3.2.1 器件制备和表征 | 第37-39页 |
| 3.2.2 添加分子添加剂后旋涂薄膜的其他表征 | 第39-42页 |
| 3.2.3 器件场效应晶体管性能表征 | 第42-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 厚膜场效应晶体管的性能研究 | 第50-57页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 形貌表征与电学性能表征 | 第50-56页 |
| 4.2.1 器件制备与表征 | 第50-52页 |
| 4.2.2 器件转移输出特性表征 | 第52-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第62-63页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |