| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 晶体成核动力学概述与研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.1 晶体成核机制定义与概述 | 第11-13页 |
| 1.2.2 晶体成核动力学模型介绍 | 第13页 |
| 1.3 晶体生长动力学概述与研究进展 | 第13-21页 |
| 1.3.1 晶体生长机制的识别 | 第13-19页 |
| 1.3.2 晶体生长机制的速率模型 | 第19-20页 |
| 1.3.3 晶体生长速率定义与测量方法 | 第20-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验方法 | 第23-30页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第23页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.3 模拟软件 | 第24页 |
| 2.2 实验内容 | 第24-28页 |
| 2.2.1 晶种制备和晶面定向与测量 | 第24-26页 |
| 2.2.2 溶剂对晶体生长动力学调控实验 | 第26页 |
| 2.2.3 过饱和度和温度对晶体生长动力学调控实验 | 第26-27页 |
| 2.2.4 杂质对晶体生长动力学调控实验 | 第27-28页 |
| 2.3 模拟内容 | 第28-30页 |
| 2.3.1 真空环境晶体生长 | 第28页 |
| 2.3.2 溶质表面集成过程 | 第28-29页 |
| 2.3.3 溶质和杂质在溶液中的体扩散 | 第29-30页 |
| 第3章 戊炔草胺晶体生长理论预测 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 晶体结构与非键力计算 | 第30-32页 |
| 3.3 真空理想晶习预测 | 第32-35页 |
| 3.4 晶体晶面结构分析 | 第35-36页 |
| 3.5 真空中生长机制预测 | 第36-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 戊炔草胺晶体生长的表面集成过程 | 第41-54页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 溶液中的成核过程 | 第41-43页 |
| 4.2.1 成核机理 | 第41-43页 |
| 4.2.3 成核动力学 | 第43页 |
| 4.3 溶质的表面集成过程 | 第43-45页 |
| 4.3.1 {100}晶面的集成过程 | 第43-44页 |
| 4.3.2 {10(?)}晶面的集成过程 | 第44-45页 |
| 4.4 表面集成过程的影响因素研究 | 第45-53页 |
| 4.4.1 溶剂对表面集成过程的影响 | 第45-48页 |
| 4.4.2 过饱和度对表面集成过程的影响 | 第48-50页 |
| 4.4.3 杂质对表面集成过程的影响 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 戊炔草胺晶体生长的体扩散过程 | 第54-68页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 溶剂分子的扩散过程 | 第54-57页 |
| 5.2.1 径向分布函数 | 第54-56页 |
| 5.2.2 扩散系数 | 第56-57页 |
| 5.3 溶质分子的扩散过程 | 第57-60页 |
| 5.3.1 单分子溶质扩散动力学 | 第57-58页 |
| 5.3.2 不同浓度下的溶质分子扩散过程 | 第58-60页 |
| 5.3.3 不同温度下的溶质分子扩散过程 | 第60页 |
| 5.4 杂质分子的扩散过程 | 第60-63页 |
| 5.4.1 杂质分子扩散动力学 | 第60-62页 |
| 5.4.2 杂质与溶质扩散动力学的对比 | 第62-63页 |
| 5.5 戊炔草胺的生长动力学函数 | 第63-67页 |
| 5.5.1 {100}晶面的生长动力学函数 | 第64-65页 |
| 5.5.2 {102(?)}晶面的生长动力学函数 | 第65-67页 |
| 5.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |