SOI基太阳能电池制备与性能增强研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光伏发电发展历史与现状 | 第11-12页 |
| 1.3 光伏产业：薄膜与晶硅之争 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 太阳能电池的基本原理 | 第15-21页 |
| 2.1 硅太阳电池的原理 | 第15-16页 |
| 2.2 太阳电池的基本参数 | 第16-18页 |
| 2.3 硅薄膜太阳电池吸收效率的损失 | 第18-20页 |
| 2.3.1 光学损失 | 第18-19页 |
| 2.3.2 电学损失 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 全背接触式电池的设计 | 第21-26页 |
| 3.1 全背接触式太阳电池 | 第21页 |
| 3.2 全背接触式太阳电池的设计 | 第21-25页 |
| 3.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 深硅刻蚀 | 第26-35页 |
| 4.1 硅和SOI片 | 第26-27页 |
| 4.2 硅的湿法刻蚀 | 第27-30页 |
| 4.2.1 硅的各向同性刻蚀 | 第27-28页 |
| 4.2.2 硅的各向异性刻蚀 | 第28-30页 |
| 4.3 刻蚀液浓度与温度对刻蚀速率的影响 | 第30-31页 |
| 4.4 硅片表面微结构机理 | 第31-34页 |
| 4.5 本章总结 | 第34-35页 |
| 第五章 SOI薄硅电池的制备 | 第35-51页 |
| 5.1 全背接触式电池的制备工艺 | 第35页 |
| 5.2 全背接触式电池的实验方案 | 第35-50页 |
| 5.2.1 备片 | 第35-36页 |
| 5.2.2 高温氧化 | 第36-40页 |
| 5.2.3 光刻 | 第40-45页 |
| 5.2.4 高温扩散 | 第45-48页 |
| 5.2.5 电极制备 | 第48-50页 |
| 5.3 本章总结 | 第50-51页 |
| 第六章 SOI硅基电池吸收增强研究 | 第51-57页 |
| 6.1 SOI硅基薄膜平板太阳电池吸收性能 | 第51-52页 |
| 6.2 表面制备氮化硅增透膜的电池吸收性能 | 第52-54页 |
| 6.2.1 氮化硅薄膜的制备 | 第52-54页 |
| 6.2.2 表面制备氮化硅增透膜的电池性能分析 | 第54页 |
| 6.3 金字塔结构电池的吸收性能 | 第54-56页 |
| 6.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 7.1 论文内容总结 | 第57-58页 |
| 7.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
