| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 单片开关电源控制芯片的研究进展 | 第11-18页 |
| 1.2.1 横向高压功率器件的研究进展 | 第11-14页 |
| 1.2.2 高压启动电路的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.2.3 功率集成技术的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 横向高压功率器件的理论基础 | 第19-30页 |
| 2.1 横向高压功率器件的关键参数 | 第19-22页 |
| 2.1.1 击穿电压 | 第19-21页 |
| 2.1.2 导通电阻 | 第21-22页 |
| 2.2 横向高压功率器件常用技术 | 第22-28页 |
| 2.2.1 RESURF技术 | 第22-26页 |
| 2.2.2 场板技术 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 700 V多级浮空场板Triple RESURF LDMOS的设计 | 第30-53页 |
| 3.1 器件结构的设计 | 第30-31页 |
| 3.2 器件耐压模型的建立与分析 | 第31-38页 |
| 3.2.1 器件耐压模型的建立 | 第31-36页 |
| 3.2.2 器件耐压模型的简化与分析 | 第36-38页 |
| 3.3 器件参数的仿真与优化 | 第38-52页 |
| 3.3.1 浮空场板对击穿电压的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 衬底掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.3 P型深阱边界位置对击穿电压的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.4 漂移区掺杂浓度对击穿电压与导通电阻的影响 | 第44-49页 |
| 3.3.5 沟道区掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 700 V多级浮空场板Triple RESURF JFET的设计 | 第53-66页 |
| 4.1 器件结构的设计 | 第53-54页 |
| 4.2 器件击穿的原理分析 | 第54-56页 |
| 4.3 器件参数的仿真与优化 | 第56-62页 |
| 4.3.1 P型深阱掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.2 源极宽度对击穿电压的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.3 JFET区长度对夹断电压的影响 | 第59-62页 |
| 4.4 器件版图设计与流片测试 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 具有复合功率器件结构的高压启动电路的设计 | 第66-76页 |
| 5.1 高压启动电路的结构 | 第66-67页 |
| 5.2 高压启动电路的工作原理 | 第67-69页 |
| 5.3 复合功率器件的器件结构与仿真分析 | 第69-73页 |
| 5.3.1 基于工艺库的H-Spice仿真 | 第70-72页 |
| 5.3.2 基于器件的TCAD仿真 | 第72-73页 |
| 5.4 高压启动电路的测试 | 第73-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 结论 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
