| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 定向凝固理论概述 | 第12-17页 |
| 1.1.1 定向凝固技术的应用 | 第12-13页 |
| 1.1.2 定向凝固理论研究现状 | 第13-14页 |
| 1.1.3 定向凝固的晶体尺寸特征 | 第14-17页 |
| 1.2 定向凝固的研究方法 | 第17-21页 |
| 1.2.1 传统定向凝固的研究方法 | 第17-18页 |
| 1.2.2 新型定向凝固的研究方法 | 第18-20页 |
| 1.2.3 透明合金定向凝固的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3 强磁场下合金凝固的研究进展 | 第21-25页 |
| 1.3.1 强磁场抑制流体流动 | 第21-23页 |
| 1.3.2 强磁场对熔体对流的促进作用 | 第23页 |
| 1.3.3 强磁场定向凝固技术的发展与现状 | 第23-25页 |
| 1.4 研究内容及意义 | 第25-26页 |
| 第2章 实验设备与方法 | 第26-36页 |
| 2.1 实验材料 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验材料选择 | 第26页 |
| 2.1.2 试样制备 | 第26-27页 |
| 2.2 强磁场下定向凝固设备 | 第27-34页 |
| 2.2.1 强磁场发生装置 | 第27-29页 |
| 2.2.2 定向凝固装置 | 第29-34页 |
| 2.3 实验过程 | 第34-36页 |
| 第3章 强磁场对丁二腈定向凝固的影响 | 第36-59页 |
| 3.1 丁二腈在有无磁场下的生长形貌 | 第36-44页 |
| 3.1.1 丁二腈的一般生长形貌 | 第36页 |
| 3.1.2 丁二腈不同温度梯度生长形貌 | 第36-38页 |
| 3.1.3 丁二腈在不同磁场强度下的生长形貌 | 第38-44页 |
| 3.2 丁二腈在不同磁场强度下的生长速度 | 第44-48页 |
| 3.2.1 丁二腈瞬时生长速度的测量方法 | 第44页 |
| 3.2.2 丁二腈在不同温度梯度下的生长速度 | 第44-46页 |
| 3.2.3 丁二腈在不同磁场强度下的生长速度 | 第46-48页 |
| 3.3 丁二腈在有无磁场下的枝晶间距 | 第48-54页 |
| 3.3.1 温度梯度对一次枝晶臂间距的影响 | 第48页 |
| 3.3.3 磁场强度对一次枝晶臂间距的影响 | 第48-51页 |
| 3.3.4 丁二腈生长速度与一次枝晶间距的关系 | 第51-53页 |
| 3.3.5 丁二腈的二次枝晶间距 | 第53-54页 |
| 3.4 枝晶/胞晶尖端半径 | 第54-59页 |
| 3.4.1 丁二腈枝晶/胞晶尖端半径的测量方法 | 第54-55页 |
| 3.4.2 不同温度梯度下丁二腈枝晶尖端半径 | 第55页 |
| 3.4.3 不同磁场强度下丁二腈枝晶/胞晶尖端半径 | 第55-56页 |
| 3.4.4 丁二腈生长速度与尖端半径之间的关系 | 第56-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |