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强磁场下丁二腈定向凝固行为的研究

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第12-26页
    1.1 定向凝固理论概述第12-17页
        1.1.1 定向凝固技术的应用第12-13页
        1.1.2 定向凝固理论研究现状第13-14页
        1.1.3 定向凝固的晶体尺寸特征第14-17页
    1.2 定向凝固的研究方法第17-21页
        1.2.1 传统定向凝固的研究方法第17-18页
        1.2.2 新型定向凝固的研究方法第18-20页
        1.2.3 透明合金定向凝固的研究现状第20-21页
    1.3 强磁场下合金凝固的研究进展第21-25页
        1.3.1 强磁场抑制流体流动第21-23页
        1.3.2 强磁场对熔体对流的促进作用第23页
        1.3.3 强磁场定向凝固技术的发展与现状第23-25页
    1.4 研究内容及意义第25-26页
第2章 实验设备与方法第26-36页
    2.1 实验材料第26-27页
        2.1.1 实验材料选择第26页
        2.1.2 试样制备第26-27页
    2.2 强磁场下定向凝固设备第27-34页
        2.2.1 强磁场发生装置第27-29页
        2.2.2 定向凝固装置第29-34页
    2.3 实验过程第34-36页
第3章 强磁场对丁二腈定向凝固的影响第36-59页
    3.1 丁二腈在有无磁场下的生长形貌第36-44页
        3.1.1 丁二腈的一般生长形貌第36页
        3.1.2 丁二腈不同温度梯度生长形貌第36-38页
        3.1.3 丁二腈在不同磁场强度下的生长形貌第38-44页
    3.2 丁二腈在不同磁场强度下的生长速度第44-48页
        3.2.1 丁二腈瞬时生长速度的测量方法第44页
        3.2.2 丁二腈在不同温度梯度下的生长速度第44-46页
        3.2.3 丁二腈在不同磁场强度下的生长速度第46-48页
    3.3 丁二腈在有无磁场下的枝晶间距第48-54页
        3.3.1 温度梯度对一次枝晶臂间距的影响第48页
        3.3.3 磁场强度对一次枝晶臂间距的影响第48-51页
        3.3.4 丁二腈生长速度与一次枝晶间距的关系第51-53页
        3.3.5 丁二腈的二次枝晶间距第53-54页
    3.4 枝晶/胞晶尖端半径第54-59页
        3.4.1 丁二腈枝晶/胞晶尖端半径的测量方法第54-55页
        3.4.2 不同温度梯度下丁二腈枝晶尖端半径第55页
        3.4.3 不同磁场强度下丁二腈枝晶/胞晶尖端半径第55-56页
        3.4.4 丁二腈生长速度与尖端半径之间的关系第56-59页
结论第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第64-65页
致谢第65-66页

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